大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
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IGBT 功率半導體
雙脈沖測試將在電力電子的未來中發揮關鍵作用。電源設計人員和系統工程師依靠它來評估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導體在動態條件下的開關特性。通過評估開關期間的功率損耗和其他指標，這些測試使工程師能夠優化最新電源轉換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動采用雙脈沖測試的是它能夠在設計過程的早期評估最壞情況下工作條件下的電力電子設備。這有助于降低將來出現不可預見問題的風險。然而，由于 SiC MOSFET 的開關速度更快，GaN 功率 FET 的頻率更高，因此基于氮化
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動態測試 WBG 功率半導體
Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機，通過快速精確的超聲波針焊接解決方案擴大其在功率元件應用領域的領先地位。這種先進的解決方案為Pin互連能力設定了新的標準，重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車和鐵路等應用中，越來越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來實現Pin針和DBC的互連以滿足信號傳輸和機械固定的要求。功率模塊市場是增長最快的半導
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Kulicke & Soffa 功率半導體 Asterion-PW
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景知識和并聯設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯分立器件通常是優選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯芯片實現的。本文總結了適用于所
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JFET Cascode 功率半導體
2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領先創新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現有投資者 Parkwalk、英國企業發展基金（BGF）、劍橋創新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 &nbs
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驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細講解如何正確理解和應用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅動器的輸入側一個可靠的功率半導體驅動電路設計要從輸入側開始，輸入端可能會受到干擾，控制電路也會發生邏輯錯誤，可能的誤觸發會造成系統輸出混亂，甚至損壞器件。一個典型的無磁芯變壓器耦合的隔離型驅動器輸入測如框圖所示，本文重點講講不起眼的IN
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工業應用中，功率半導體的驅動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點有幾點：1 電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅動和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負電源就更復雜。2 電力電子系統需要滿足相應的安規和絕緣配合標準，保證合規的爬電距離和電氣間隙，這使得PCB面積更捉襟見肘。3 對于中大功率的功率模塊，驅動板會放在模塊上方，會受熱和直面較強的電
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功率半導體 驅動電源 電路設計
1.???? 前言近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此，為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率并實現碳中和已成為全球共同的目標。在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術解決社會問題，專注于開發在大功率應用中可提升效率的關鍵——功率半導體，并提供相關的電源解決方案。本白皮書將通過“Power Eco Family”的品牌理念，介紹為構建應用生
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羅姆 功率半導體
安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業內獨特的領先優勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的優點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區引入一個場截
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功率半導體 onsemi IGBT
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業資深媒體集團ASPENCORE頒發的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現獲得業界肯定。作為全球領先的汽車半導體供應商，安森美致力于以創新的智能電源和智能感知技術推動汽車電氣化和智能化創新。安森美在多個
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安森美 功率半導體
自德州儀器官網獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產，結合其在德克薩斯州達拉斯的現有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的Ga
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●? ?通過高壓開關矩陣實現一次性測試，進而提高生產效率●? ?該系統旨在提高操作人員與設備的安全性；同時確保符合相關法規要求是德科技推出適用于功率半導體的?3kV高壓晶圓測試系統是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測試系統，進一步擴展了其半導體測試產品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數測試，從而顯著提升了功率半導體制造商的生產效率。傳統上
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根據韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規模生產GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優勢，IT、電信和汽車等行業對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數據中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務?！备鶕@一戰略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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近期，市場各方消息顯示，功率半導體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導體等在內的企業產能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際，功率半導體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線正式開工，除此之外，包括芯聯集成、捷捷微電、芯粵能多家企業功率半導體項目也在上半年有最新動態。多家企業產能利用率接近滿載從市場需求端看，消費電子行業從去年末開始緩慢
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功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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