自德州儀器官網獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產，結合其在德克薩斯州達拉斯的現有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。

德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的GaN芯片，同時將內部制造比例提高到2030年的95%以上，確保可靠供應。

此外，德州儀器擴大的投資還包括今年早些時候進行的300mm晶圓GaN制造工藝的成功試點。