4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
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4月7日，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”?！ ∑嚱Y構性缺芯給國產芯片帶來機會 有行業專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經記者
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4月7日，由中國汽車芯片產業創新戰略聯盟（以下簡稱：中國汽車芯片創新聯盟）主辦，湖南三安承辦的“汽車功率半導體分會成立大會暨汽車功率芯片發展研討會”在長沙舉辦。近80位政府嘉賓、企業高管、行業專家、新聞媒體齊聚一堂，共謀中國新能源汽車及功率半導體產業的發展之道，促進產業鏈跨界合作和多元融合生態的形成，攜手共創汽車功率半導體行業的新局面。成立分會 推進產業高質量發展當前，汽車行業正處在從傳統化石能源驅動逐步向全電驅動轉換的巨大歷史變革當中。新能源汽車進入發展快車道，汽車功率芯片是新能源汽車的重要器
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今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發揮發展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業對功率半導體需求的增加
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根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023
SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON
Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規模預估2022年全球車用MCU市場規模達82
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功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代
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據日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據悉，羅姆花費約20年推進研發碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續航里程可提升一成，電池體積也可更小。據悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產，還計劃為增產投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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據石峰發布消息顯示，10月28日，株洲市中車時代功率半導體器件核心制造產業園項目開工。據悉，該項目位于株洲市石峰區軌道交通雙創園內，占地約266畝，計劃總投資逾52億元，項目建成達產后，可新增年產36萬片8英寸中低壓組件基材的生產能力，產品主要面向新能源發電及工控家電領域。時代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時代半導體有限公司，擬投資中低壓功率器件產業化建設項目，包括中低壓功率器件產業化（宜興）一期建設項目和中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目（以下簡稱“株洲子項目”），項目投資總額約1,111,869
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英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設立新廠，用于大功率半導體模塊的組裝和測試，以推動作為全球碳減排關鍵的汽車電動化進程。此外，英飛凌還進一步擴大了投資，提高大功率半導體模塊的產能，廣泛用于風力發電機、太陽能模塊以及高能效馬達驅動等應用，推動綠色能源的發展。英飛凌營運長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續增長的發展道路。在低碳化和數字化趨勢的推動下，英飛凌半導體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動綠色能源的發展作出了重要貢獻，新工廠的建設將進一步助力英飛凌滿足日益
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功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
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韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經開始量產。 BCD是一種單片集成工藝技術，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導體產品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優點。近年來，隨著電子設備系統尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對合適的功率半導體的需求也越來越大，因此對BCD的需求也在增加。啟方半導體為工作電
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東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產功率半導體。該廠預計于2024財年開始量產，整體供應的產能將會是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在 2024 財年開始。當第一階段的生產滿載時，東芝的功率半導體產能將是之前的2.5 倍（2021財年）。東芝表示，功率半導體是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。目前汽車電子和工業設備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧
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功率半導體：市場空間大，細分品類多1.1. 簡介：能源轉換的核心器件，細分品類眾多功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體主要起源于 1904 年第一個二極管的誕生，而 1957 年的美國 通用電氣公司發表的第一個晶閘管，標志著電子電力技術的誕生； 1970 年代，功率半導體進入快速發展時期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發展，標志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
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碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位，在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展，極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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