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功率半導體 文章 進入功率半導體技術社區

24億8英寸功率半導體器件生產線項目在莊河開工

  •   連宇宙半導體有限公司8英寸功率半導體器件生產線項目昨日在莊河市蘭店鄉金場村開工,項目投資24億元,計劃年產24萬片8英寸功率半導體器件芯片,其中部分產品填補國內空白,5年內將在產品種類和技術能力上達到可與德國英飛凌科技公司、美國仙童公司等世界著名企業競爭的水平。該項目已被列入發改委和工信部聯合制定的國家“十三五”集成電路生產力布局重大項目庫。   產品主要應用于新能源發電、儲能、超級計算機、云計算網絡、伺服器、個人電腦、UPS電源、物聯網等領域,項目投產后年銷售收入可達30億
  • 關鍵字: 功率半導體  芯片  

全球十大功率半導體廠商排名,英飛凌超德儀

  •   IHS報告指出,受到整體經濟環境不佳影響,2015年全球功率半導體市場規模為340.11億美元,比2014年小幅衰退2.6%。在大環境不佳的情況下,個別廠商的經營策略對其營運表現好壞,影響更為關鍵。英飛凌(Infineon)藉由購并國際整流器(International Rectifier, IR)及LS Power Semitech,在市占率方面以些微差距險勝長年盤據功率半導體市場龍頭寶座的德州儀器(TI)。但德儀的表現亦相當不錯,在整體市場衰退的情況下,營收仍成長了0.7%。   就個別產品細項
  • 關鍵字: 功率半導體  英飛凌  

美國西北大學侯振宇團隊開發新型高功率半導體放大器

  •   半導體光放大器(Semiconductor Optical Amplifier)是光放大器的一種。光放大器是在光通信或者其他光學應用中對光信號進行放大的一種子系統產品。光放大器的原理基本上是基于激光的受激輻射,通過將泵浦源的能量轉變為信號光的能量從而實現放大作用。泵浦的類別主要有光泵浦和電泵浦。目前研究比較廣泛的光放大器是光纖放大器。它使用的泵浦是光泵浦。光纖放大器自從1990年代商業化以來,已經極大的改變了光纖通信工業,是直接導致20世紀末互聯網爆炸(通常所說的”dot com&rdqu
  • 關鍵字: 功率半導體  放大器  

SiC功率半導體市場將開始高速發展

  •   SiC功率半導體正進入多個應用領域   當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時,整個產業都對SiC功率半導體的未來發展存在疑慮,它會有市場嗎?它能夠真正實現商業化嗎?然而15年之后的今天,人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的,而且具有廣闊的發展前景。2015年,SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元,到2021年,其市場規模預計將超過5.5億美元,這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念,消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
  • 關鍵字: SiC  功率半導體  

中國大陸功率半導體專利大飛躍,日企如何競爭?

  • 功率半導體器件是日本的優勢領域,如今在這個領域,中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領域繼續保持強大的競爭力,重要的是大力研發SiC、GaN、組裝等關鍵技術,以確保日本的優勢地位,并且向開發高端IGBT產品轉型,以避開MOSFET領域的價格競爭。
  • 關鍵字: 功率半導體  晶圓  

功率半導體的新機遇在哪里?

  •   隨著功率半導體器件在移動通訊、消費電子、新能源交通、發電與配電領域發揮著越來越重要的作用,“中國智造”時代的來臨給功率半導體行業帶來新的發展機遇和增長動力。氮化鎵、碳化硅寬禁帶半導體材料和器件、IGBT、射頻通訊等最新技術都將推動應用市場的快速發展。   蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演講中表示,未來移動通信對于基站而言,需要的頻率更高,更寬的帶寬,更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性,氮化鉀射頻設備在功率
  • 關鍵字: 功率半導體  4G  

重慶萬國打造國家重要集成電路產業基地

  •   美國萬國半導體(簡稱“AOS公司”)成立于2000年,總部位于美國硅谷,是一家集半導體設計、晶圓制造、封裝測試為一體的企業,主要從事功率半導體器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成電路產品)的產品設計和生產制造。目前AOS公司在美國俄勒岡有一座8英寸晶圓廠、在上海松江有二座封裝工廠,在美國硅谷、臺灣、上海均設有研發中心。產品市場涉及筆記本電腦、液晶電視、手機、家電、通訊設備、工業控制、照明應用、汽車電子等領域。   重慶項目概況   重慶萬國半導體12英寸功率半導體芯
  • 關鍵字: 集成電路  功率半導體  

SiC功率半導體接合部的自我修復現象,有望改善產品壽命

  •   大阪大學和電裝2016年3月28日宣布,在日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)的項目下,發現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發現,在高溫的設備工作環境下,用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂,這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。   此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法,該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏,以250℃低溫在空氣環境實施30分鐘接合工藝,獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優點,包
  • 關鍵字: SiC  功率半導體  

功率半導體市場蓬勃 并木精密攻研鉆石單晶襯底

  •   并木精密寶石株式會社(Namiki) 多年來為全球前5大藍寶石晶體生長及襯底加工廠, 此次于慕尼黑上海電子展暨國際電子電路展(SEMICON China展會)上并木精密寶石株式會社原田裕幸部長接受了媒體采訪,透露了并木精密寶石在2016年至2020年的發展策略。        雖然目前藍寶石市場混亂且未來應用規模尚不明朗,并木精密寶石因在技術及成本上具優勢,2016年仍會維持產能規模,并持續加速改善熱場及工藝,使得單臺長晶爐產能再提高25%;同時面向市場上藍寶石手機屏幕片應用的殷切
  • 關鍵字: 功率半導體  藍寶石  

新一代功率半導體氧化鎵,開始提供外延晶圓

  •   日本風險企業Novel Crystal Technology公司(總部:埼玉縣狹山市)將于2015年10月開始銷售新一代功率半導體材料之一——氧化鎵的外延晶圓(β型Ga2O3)。這款晶圓是日本信息通信研究機構(NICT)、日本東京農工大學和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來的風險企業,定位于“NICT技術轉移企業”。該公司的目標是2016年度實現銷售額6000萬日元,2020年
  • 關鍵字: 功率半導體  晶圓  

英飛凌連續12年蟬聯全球功率半導體市場第一

  •   英飛凌科技股份公司連續十二次蟬聯全球功率半導體市場領袖。今年年初收購美國國際整流器公司之后,現在英飛凌以高達19.2%的市場份額,成為當之無愧的市場領袖。而據美國市場調查機構IHS公司2014年的調查結果,兩家公司2013年的市場份額總和約為17.5%。英飛凌最接近的競爭對手被遠遠拋開7個百分點。節能型功率半導體應用廣泛,從微波爐,一直到大型風電機組,各式各樣的設備中都能見到它們的身影。它們有助于高效地發電、輸電和轉換電力。IHS數據表明,2014年,全球功率半導體市場增長了6.3%,達到162億美元
  • 關鍵字: 英飛凌  功率半導體  

矢野經濟研究所:SiC功率半導體將在2016年形成市場

  •   矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。    ?   全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處:矢野經濟研究所) (點擊放大)   2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負增長,但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。   預計2014年仍將繼續增長,2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究
  • 關鍵字: SiC  功率半導體  

IC Insights:2015年功率半導體營收將創新高

  •   功率半導體(Power Transistor)市場將在今年開出紅盤。由于節能概念風行,并快速滲透至汽車、工業和無線通訊等領域,因而刺激大量功率半導體需求。IC Insights最新報告指出,功率半導體在過去6年因總體經濟動蕩、系統廠庫存調整幅度較大等因素,銷售額劇烈變化,但今年受惠于嵌入式設計需求大爆發,將開始恢復穩定成長,并將以6%的年成長率,創下140億美元年營收新紀錄。   
  • 關鍵字: 功率半導體  

茲發現Power Integrations再次侵權Fairchild專利

  •   全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天宣布 Power Integrations, Inc 因繼續營銷并銷售其LinkSwitch II產品系列而侵犯了Fairchild的美國 7,259,972 號專利,盡管在2012年陪審團已經裁定與這些產品電源轉換芯片違反了此專利。   美國特拉華州的地區法院陪審團在周五裁定,Power Integrations導致消費者侵犯了Fairchild的專利權,并判決給付Fairchild 240萬美元的損失賠償。這一賠償數額約按進口到美國
  • 關鍵字: Fairchild  功率半導體  

工業、汽車應用推動功率半導體市場成長7%

  • 市場好轉,功率半導體廠商未來之間競爭日益激烈,本土功率器件廠商應趁機崛起。
  • 關鍵字: 功率半導體  
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