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CGD和QORVO將徹底改變電機控制解決方案

  • 2024年11月12日 英國劍橋- 無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD今日與全球領先的連接和電源解決方案提供商Qorvo? (納斯達克股票代碼: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN?評估套件(EVK),將行業領先的電機控制和能效技術整合在一起。該EVK具有Qorvo的高性能無刷直流(BLDC)/永磁同步(PMSM)電機控制器/驅動器和CGD易于使用的I
  • 關鍵字: CGD  QORVO  電機控制  

CGD為電機控制帶來GaN優勢

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克股票代碼:QRVO)合作開發 GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(BLDC)和永磁同步電機(PMSM)應用中的使用,打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
  • 關鍵字: CGD  電機控制  GaN  

CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

  • 無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗證的 DFN 封裝,堅固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側邊可濕焊盤技術,便于光學檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行,
  • 關鍵字: CGD  數據中心  逆變器  GaN  功率IC  

CGD與中國臺灣工業技術研究院簽署GaN電源開發諒解備忘錄

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業技術研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固為USB-PD適配器開發高性能GaN解決方案的合作伙伴關系、并共享市場信息、實現對潛在客戶的聯合訪問和推廣。Andrea Bricconi   | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作,ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊,在開發電力解決方案方面有著非常豐富的經驗
  • 關鍵字: CGD  GaN  電源開發  

CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態系統

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議,共同設計和開發使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商,專注于各種應用的電源和適配器,包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳
  • 關鍵字: CGD  群光電能  GaN  生態系統  

CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統 (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲“最佳演示”獎。CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術為全球客戶進行大批量生產,將典型外部驅動電路的復雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數量,并顯著提高功率晶體管和整個系統
  • 關鍵字: CGD  ICeGaN HEMT  臺積電  
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