在第27屆國際功率半導體器件與集成電路年會上，電子科技大學教授、中國科學院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻，獲“國際功率半導體先驅獎”，成為首位獲得該獎項的華人科學家。
國際功率半導體器件與集成電路年會是功率半導體領域頂級學術年會，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發明人Harry Vaes獲得該獎項。
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功率半導體
日本富士經濟的一份調查報告稱，按銷售金額計算，功率半導體的全球市場規模到2020年將達到33009億日元。與2014年的24092億日元相比，將增長約37%。
其中，增長率較高的是SiC、GaN、氧化鎵等新一代功率半導體。預計到2020年，新一代功率半導體的銷售額將達到1665億日元，約為2014年(129億日元)的約13倍。富士經濟認為，SiC功率元件市場將在2016年正式形成。
此外，富士經濟還公布了功率半導體生產設備的全球市場規模。2014年這一市場的銷售額為1462億日元，預測20
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功率半導體
LED磊晶大廠晶電(2448)發表最新技術，概念燈泡的電源模組采用矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率半導體，可將電源模組體積大幅縮小75%。如果量產成功，晶電將從LED領域跨足功率半導體，拉出市場新戰線。初期這項技術用于晶電自家LED燈泡，未來可望延伸至手機、筆電、甚至冰箱、洗衣機等的電源。
全球都在開發功率半導體的新材料，近年較熱門的是矽基氮化鎵(GaN-on-Si，在矽基板上生長氮化鎵)，包括美國麻省理工學院、韓國三星、日本東芝都在積極研發。晶電是全球LED磊晶龍頭，原本就擅長在藍寶石基板
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功率半導體
汽車行業目前正在經歷一個重大的技術變革時期，這已經是個不爭的事實。過去100多年里，內燃機引擎中都在使用燃油泵和活塞，而現在正在被鋰離子電池、逆變器和IGBT所取代。簡言之，汽車正在變得更加電子化。汽車的第一次電子化可能僅僅被看作是增加其電子含量的演練，或在適應現有的非汽車系統(如高壓工業驅動器)，最終適應汽車中的應用。然后，采用這種方法將會大大低估可能面臨的挑戰。在功率和電壓等級方面，就目前的相似度而言，它們都與相關的工業離線應用類似。在汽車世界里，空間和重量都受到限制，而且環境也很惡劣，0ppm(
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CooliR 功率半導體
在諸多科幻作品當中，最多的描述，都來自于對未來世界的憧憬，人們使用各種方便清潔的能源，利用率高，清潔高效，甚至有可能是完全免費的能源。但是在我們可以預見的未來里，我們還將依賴目前使用最廣，能量轉換最為方便的—電能。雖然目前的電子設備正在朝著綠色和低能耗的方向發展，但在石化能源變為電力的同時，產生的污染也越來越受到重視。在這樣的趨勢下，能夠在電子設備里降低電路損耗，提高電能使用率方面發揮自己的作用。
功率半導體的運作介于弱電控制與強電之間，是僅次于大規模集成
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功率半導體
隨著英飛凌宣布并購IR之后，使得全球功率半導體市場的氛圍更顯緊張，但盡管如此，既有的高功率應用仍然有著相當高度的進入門檻，相關的功率半導體業者仍然持續推動新技術到市場上，快捷半導體(Fairchild)即是一例。
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快捷半導體臺灣區總經理暨業務應用工程資深總監李偉指出，功率半導體方案的發展方向并不是提升轉換效率而已，散熱表現也是功率半導體相當重要的因素。所以不管是在新一代的功率模組或是高壓切換元件，都將提升散熱的表現的設計加以導入。
首先是智慧功率模組，該款產品的
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英飛凌 功率半導體 散熱
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild今日發布1200V Motion SPM? 2模塊，該產品適用于開發高電壓工業應用的客戶。電機耗能占全球能源總耗的40%以上，面對這一局勢，此款新型智能功率模塊產品設計簡單可靠、熱性能表現卓越，可為使用大型三相變頻電機的系統提供全面保護，實現超高能效，為創造更潔凈、更智能世界這一目標而不斷努力。
Fairchild最新的智能功率模塊 (SPM) 集成了重要的電源管理硅元件，以此節省電路板空間和散熱片尺寸，打造出緊湊的一體化解決方案
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Fairchild SPM 功率半導體
半導體廠商英飛凌科技股份公司和印刷電路板(PCB)廠商Schweizer Electronic(FSE： SCE)宣布，英飛凌將收購Schweizer9.4%的股份。相關協議已簽訂。兩家公司同意嚴格保密合同條款。
此次注資Schweizer，英飛凌凸顯了其與合作伙伴攜手開發將功率半導體與PCB集成的技術以及挖掘高功率汽車和工業應用芯片嵌入市場的決心。Schweizer的芯片嵌入技術可與英飛凌專有的芯片嵌入封裝技術BLADE™結合使用，用于計算機和電信系統處理器所需的直流供電(DC/D
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英飛凌 Schweizer 功率半導體
中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩定運行一萬公里，各項參數指標均達國際先進水平。
這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷，實現從研發、制造到應用的完全國產化。
IGBT是一種新型功率半導體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰略領域中不可或缺。
由
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IGBT 功率半導體
英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續取得領先，蟬聯龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。
英飛凌執行長Dr. Reinhard Ploss表示，事實證明英飛凌的策略正確，從產品導向的思維模式邁向系統級別的觀點，并提供最適合客戶的產品，幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領域的持續成長便可看出。
2013年全球功率
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英飛凌 功率半導體
英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續取得領先，蟬聯龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。
英飛凌執行長Dr.ReinhardPloss表示，事實證明英飛凌的策略正確，從產品導向的思維模式邁向系統級別的觀點，并提供最適合客戶的產品，幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領域的持續成長便可看出。
2013年全球功率半導
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英飛凌 功率半導體
德國英飛凌科技開始著手擴大功率半導體業務。該公司以大約30億美元收購從事功率半導體元件及功率管理IC的美國國際整流器(IR)公司。對英飛凌來說，“這是公司史上最大規模的收購案”注1)。
注1)收購價格為每股40美元，與過去3個月的平均股價相比，溢價47.7%，與2014年8月19日的收盤價相比，溢價50.6%。各項收購手續將于2014年底至2015年初完成。
英飛凌雖是功率半導體行業最大規模的企業，但其市場份額在2012年不過11.8%(表1)。第二名以后的
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英飛凌 功率半導體
矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所)
2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續增長，2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規
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SiC 功率半導體
在年前，就有研究機構預測，功率半導體將成為2014年半導體成長強勁動力，原來不出彩的原件，有望煥發光彩了。
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三菱電機 功率半導體
最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。
功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業機械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風電系統等，掌握著節能的關鍵。
三菱電機半導體器件第一事業部營業戰略課長山田正典說“用人體打比方的話，個人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦，而功率半導體則相當于肌肉。”
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功率半導體 半導體器件
功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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