●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 內存 存儲 三星
聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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5G 聯電 RFSOI 3D IC
近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
●? ?The InvenSense SmartSonicTM?ICU-10201 高性能超聲波 ToF 傳感器搭載強大的嵌入式處理器并擴展了存儲空間， 能在芯片上實現完整的應用算法●? ?非常適合物聯網 (IoT) 和機器人應用，MEMS 傳感器可滿足避障、材質識別和液位測量應用的高精度測量要求●? ?ICU-10201現已全面上市，可在全球多家代理商訂購TDK株式會社隆重宣布其具有片上處理能力的 InvenSense?&n
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TDK 時間飛行傳感器 ToF 機器人應用
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技術的多區飛行時間（ToF）傳感器。所有ST多區飛行時間傳感器有以下共同特點：? 都使用直方圖，并且擁有4X4或8X8個區域。? 具備自主模式，無需與芯片進行交互。一旦設置了開始及中斷時間，它會在觸發事件出現時自動中斷。? 通過I2C接口，傳輸速率可達1兆赫。對于那些產生數據量巨大的應用就非常方便。? 具備運動指示器，能夠提醒您是否有動作發生。? 具有相同的軟件驅動程序，在STM3
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ToF ST 傳感器
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
如果你對飛行時間不了解，別擔心，你來對地方了。飛行時間一詞幾乎就是字面意思，只不過飛行的對象是波長為940納米，肉眼完全不可見的“光子”。我們發出一束激光；光子撞擊某個物體并反彈回來。當光子反彈回來時，我們停止計時，獲得光飛行時長，借此確定物體與我們之間的距離（以毫米為單位）。這項技術被稱為光飛行時間距離測量（flight sense），該技術功耗相對較低，遠遠低于相機。飛行時間的概念很簡單，您只需要使用一個小模塊便可輕松將這個“簡單”的技術應用在您的方案中。而這個模塊本身并不簡單，不僅僅是一片封裝在塑料
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飛行時間 傳感器 ToF
開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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