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3d tof 文章 進入3d tof技術社區

閃迪提議HBF取代HBM,在邊緣實現 AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新,該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM(高帶寬內存)用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時,該公司表示,它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上,即分拆前不久,即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
  • 關鍵字: Sandisk  3D-NAND  

充分發揮汽車 ToF 3D 成像技術的潛能

  • 人們曾一度認為飛行時間 (ToF) 是汽車行業中一種獨特而又陌生的技術。由于缺乏汽車級傳感器,加之尚未形成一個成熟的生態系統,該技術成本高昂,因此未能得到廣泛應用。ToF 傳感器本身分辨率相對較低也是一個制約因素,由于視野 (FoV) 狹窄或寬視野空間分辨率不足,因此應用十分有限。隨著更多主動安全標準(例如 NCAP)的推出以及 L4和L5級無人駕駛汽車對更多功能的解鎖,ToF 技術迎來了新的發展勢頭,不再局限于車內應用。現在,ToF 技術已在近距離保護等外部應用中進行評估,因為它不僅結合了高分辨率和近距
  • 關鍵字: ToF  傳感器  汽車電子  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
  • 關鍵字: 3D DRAM  

紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

  • 日前,紫光國微在投資者互動平臺透露,公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線,現正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作,2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解,無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目,也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產業鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產線,對保障高可靠芯片的產業鏈穩定和安全具有重要作用。
  • 關鍵字: 紫光國微  2D/3D  芯片封裝  

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據媒體報道,近日,研究人員發現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分,將蝕刻速度提高了一倍,提高了精度,為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室(PPPL)的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道,前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示,使用等離子體中發現的帶電粒子是創建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
  • 關鍵字: 3D NAND  深孔蝕刻  

增強視覺傳感器功能:3D圖像拼接算法幫助擴大視場

  • 得益于出色的深度計算和紅外(IR)成像能力,飛行時間(TOF)攝像頭在工業應用,尤其是機器人領域越來越受歡迎。盡管具有這些優勢,但光學系統的固有復雜性往往會約束視場,從而限制獨立功能。本文中討論的3D圖像拼接算法專為支持主機處理器而設計,無需云計算。該算法將來自多個TOF攝像頭的紅外和深度數據實時無縫結合,生成連續的高質量3D圖像,該圖像具有超越獨立單元的擴大視場。借助拼接的3D數據,應用先進的深度學習網絡能夠徹底改變可視化及與3D環境的交互,深度學習網絡在移動機器人應用中特別有價值。
  • 關鍵字: 202501  視覺傳感器  3D圖像拼接算法  飛行時間  ToF  ADI  

李飛飛對計算機視覺的愿景:World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學教授李飛飛已經在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學習革命中發揮了重要作用,多年來努力創建 ImageNet 數據集和競賽,挑戰 AI 系統識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年,一個名為 AlexNet 的神經網絡在 AI 研究界引起了震動,它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型,并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起,神經網絡開始騰飛,由互聯網上現在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
  • 關鍵字: 李飛飛對計算機視覺的愿景:World Labs 正在為機器提供 3D 空間智能  

谷歌DeepMind發布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界

  • 12月5日消息,美國當地時間周三,谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型,能夠創造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2,是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述,例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”,Genie 2就能構建出一個交互式的實時場景。在這方面,它與李飛飛創立的World Labs以及以色列新興企業Decart所開發的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱,Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
  • 關鍵字: 谷歌  DeepMind  Genie 2  模型  3D  互動世界  

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

  • Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用,可簡化生產線上的3D測量和檢測任務。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描,是電動汽車(電動汽車電池、電機定子等)、汽車、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業工廠自動化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具,用于
  • 關鍵字: Teledyne  3D測量  Z-Trak 3D Apps Studio  

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

  • 據韓媒報道,稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破,在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠(PR)用量,降幅達到此前用量的一半。報道稱,此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠,而三星通過精確控制涂布機的轉速(rpm)以及優化PR涂層后的蝕刻工藝,現在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻膠,通常情況下一次工藝形成1層涂層,而使用更厚的光刻膠,三星可以一次形成多個層,從而提高工藝效率,但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商,為三星第7代(11微米)和第
  • 關鍵字: 三星  光刻膠  3D NAND  

臺積電OIP推3D IC設計新標準

  • 臺積電OIP(開放創新平臺)于美西當地時間25日展開,除表揚包括力旺、M31在內之業者外,更計劃推出3Dblox新標準,進一步加速3D IC生態系統創新,并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰,幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現優化的設計。臺積電OIP生態系統論壇今年由北美站起跑,與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作,推動AI芯片設計的創新。 Dan Kochpa
  • 關鍵字: 臺積電  OIP  3D IC設計  

內存制造技術再創新,大廠新招數呼之欲出

  • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
  • 關鍵字: HBM  3D DRAM  

3D ToF開發太耗時?快捷方案來了!

  • 本文將討論 ToF 的基本原理,然后介紹?Broadcom?的光學 ToF 評估套件,借助該套件,開發人員能夠快速進行精確的 1D 和 3D 距離測量應用原型設計,并可快速實現定制的光學 ToF 感測解決方案。在從工業感測到基于手勢的用戶界面等各種應用中,光學飛行時間 ?(ToF) 距離測量扮演著重要角色。隨著精確、高速多像素 ToF 傳感器的出現,開發人員可以實現這些應用中需要的更復雜的三維 (3D) ?感測算法。然而,由于多像素光學感測子系統相當復雜,開發時間會
  • 關鍵字: ToF  Broadcom  評估套件  

鎧俠公布藍圖:2027年實現1000層3D NAND堆疊

  • 近日,據媒體報道,日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖,目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來,3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長,從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度,預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年,據日本媒體今年4月報道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示,公司計劃于2030至2031
  • 關鍵字: 鎧俠  3D NAND堆疊  

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%

  • 6月25日消息,據媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果,展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息,SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展,并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發,并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數據意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
  • 關鍵字: SK海力士  3D DRAM  
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