- Micron Technology 已開始在新加坡建設其價值數十億美元的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內存的需求將猛增。該設施將于 2026 年開始運營。美光的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施位于美光在新加坡現有的生產 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產，并計劃在 2027 年大幅提高產能。該設施將使用先進的人工智能驅動的自動化來
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AI Micron HBM 裝配廠
- HBM（高帶寬內存）技術是即將到來的“內存內計算/處理”時代的一種“近內存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機器學習的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內存制造商正在HBM技術的開發上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數據中心應用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內存。因此，對于內存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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HBM 高帶寬內存
- 12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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存儲芯片 SK海力士 HBM
- 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當地時間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現更高的計算和內存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現的新技術對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構”采用了非行業標準的 HBM I/O 接口設計，可帶來更優秀性能和最多 70% 的接口
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Marvell HBM XPU
- 據外媒報道，三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術競爭力，并縮小與SK海力士在這一領域的差距。· 蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業內人士透露他們在三季度已同相關廠商簽署了設備采購協議，合同接近200億韓元，目的是擴大工廠的產能?！?另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產能的投資協議，計劃在韓國天安市新建一座專門
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三星 高帶寬存儲器 封裝 HBM
- 任何新的內存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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HBM
- 獲悉，周四，SK海力士公布了創紀錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業利潤達到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達到17.6萬億韓元，而市場預期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
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AI HBM SK海力士
- 10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業務規模，全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資，同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 內存
- TrendForce指出，隨著AI服務器持續布建，高帶寬內存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續布建AI服務器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環，帶動HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
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HBM DRAM TrendForce
- 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩局面。根據TrendForce集邦咨詢最新調查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續驗證階段。其中SK
hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成
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HBM3e 12hi 良率 驗證 HBM TrendForce
- 隨著GDDR7存儲器標準規格于今年確定，存儲器業者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
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HBM 存儲器 GDDR7
- IT之家 8 月 20 日消息，據韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業進行電話溝通，并為滿足這些企業的需
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海力士 HBM 內存
- IT之家 8 月 13 日消息，據 IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報告表示，數據中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩，AI PC、智能手機逐步發售，同樣提升
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內存 存儲 HBM
- IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能，這表明價格已經不太可能下降；再加上下半年是傳統旺季，預計價格會有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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- 行業人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創建第二個研發中心。據悉，中國臺灣經濟部門于2021年5月申請領航企業研發深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發領航計劃，在中國臺灣設立第一個研發中心，獲補助47億元新臺幣，將研發先進制程落腳在中國臺灣生產。2021年，美光在中國臺灣申請
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