緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業系統等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性，同時繼續降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現更高的功率密度。然
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電源效率 氮化鎵 GaN 電源轉換器設計
今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領域頭條，因為主角是多年蟬聯全球功率半導體市場占有率第一的英飛凌。幾個月過去，這場收購案迎來了結局。10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN
Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN
Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。市場競爭力再上一層樓2023年3月2日，英飛凌和G
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英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
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氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業Transphorm, Inc.近日發布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優勢，包括：1.性能更高：優越的 TCR (~25%)，更低的動態與靜態導通電阻比
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Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強型 E-Mode 氮化鎵
1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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數位經濟正經歷一場由兩大趨勢驅動的巨大變革，即時數據分析的龐大需求為其一，另一則是生成式人工智能（Generative
AI）的快速發展。一場激烈的生成式AI競賽正如火如荼的進行中，科技巨頭如亞馬遜（Amazon)、谷歌（Google)、微軟（Microsoft）皆大舉投資生成式AI的研發創新。根據彭博智庫（Bloomberg
Intelligence）預測，生成式AI市場將以42%的年增率成長，從2022年400億美元市值，于10年內擴大至1.3兆美元。在AI的蓬勃發展下，數據中心對電力與運算的
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幾乎所有現代工業系統都涉及交流/直流電源，這些系統從交流電網獲得能量，并將經過妥善調節的直流電壓輸送到電氣設備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉換過程中的相關能量損耗，成為電源設計人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務器應用的設計人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數據中心在10年內節省多達700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級拓
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全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
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如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個主要因素導致其效率下降（在簡化模型中）：一個是串聯電阻，稱為 RDS（ON），另一個是并聯電容器稱為 C
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【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發展。安世博能源科技為電源行業領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統設計及批量生產的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現下世代電動車對尺寸微縮、輕
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2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
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日前，在MWC上海2023上意法半導體為我們帶來了各個領域的產品及應用，在眼花繚亂的展品中，這次我們重點來講講這個“小東西”——ST-ONEHP數字控制器。數字控制器有哪些好處？對于高功率充電器和適配器我們早已不陌生，ST-ONEHP的內部集成了多顆控制芯片，包括初級的PWM控制器，次級的同步整流控制器以及USB-PD協議芯片，在其次級集成了一顆ARM Cortex M0+的芯片，因此得名數字控制器。數字控制器有哪些好處？第一，在控制上面，研發工程師在使用芯片的時候，可以通過電腦的UI直接操控這個芯片，開
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戰術通信技術已經走了很長一段路，從在現場鋪設電纜到在傳達命令時保持態勢感知。在這個以網絡為中心的沖突時代，IT基礎設施已經一路走到戰場邊緣的移動指揮所。戰術通信技術已經走了很長一段路，從在現場鋪設電纜到在傳達命令時保持態勢感知。在這個以網絡為中心的沖突時代，IT基礎設施已經一路走到戰場邊緣的移動指揮所。軍事現代化繼續無情地進行。軍費開支的增加正在推動陸地、空中和海上平臺采購先進的無線通信系統。全球戰術通信市場將在16-2019年期間以2025%的復合年增長率（CAGR）增長，達到18.53億美元。1提高移
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加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統，以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益于1
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