- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”）近日宣布，已于2024年6月20日完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產品和相關參考設計，以滿足對寬禁帶（WBG）半導體產品日益增長的需求。與傳統的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的開關頻率和較小的占用空間，因此被視為下一代功率半導體的關鍵技術。受電動汽車（EV）
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瑞薩 Transphorm
- 根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
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GaN 車用功率器件 Transphorm SiC
- 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和T
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Transphorm 偉詮 SiP氮化鎵 氮化鎵
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
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Transphorm 高功率服務器 工業電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
- 1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協議，根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。據悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型
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瑞薩 氮化鎵 收購 Transphorm
- 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月
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瑞薩 Transphorm GaN
- Weltrend新參考設計表明，擁有成本優勢的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來規模經濟以及無與倫比的氮化鎵穩健性?2023 年 12 月 28 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路
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Transphorm 偉詮 氮化鎵系統級封裝
- 2023 年 12月 21 日－全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和150毫歐 SuperGaN? 器件，以極具競爭力的成本實現高效的 AC-DC 功率轉換和高功率密度。這兩款參考設計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現量產。 據悉，印度和中國的兩輪和三輪電動車年銷量分別超過 1,
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Transphorm 三輪電動車 電池充電器 二輪電動車
- 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.近日宣布與為運動控制和節能系統提供電源及傳感半導體技術的全球領先企業Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）開展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN?場效應晶體管和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計。Transphorm 的 SuperGaN ?FET可用于各種拓撲結構，并能夠提供多種封裝形式，支持廣泛的功率級，滿足不同終端
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Transphorm Allegro 氮化鎵電源
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
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Transphorm 氮化鎵 GaN
- 氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業Transphorm, Inc.近日發布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優勢，包括：1.性能更高：優越的 TCR (~25%)，更低的動態與靜態導通電阻比
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Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強型 E-Mode 氮化鎵
- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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- 新世代電力系統的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.近日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首個集成型光伏（PV）系統采用了Transphorm氮化鎵平臺，DAH Solar是安徽大恒新能源技術公司的子公司。該集成型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar對系統中所使用的Transphorm的GaN FET器件給予高度評價，認為能夠生產出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統，同時還能以更低的能耗提供更高的總發電量
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Transphorm 氮化鎵器件 DAH Solar 大恒能源 微型逆變器光伏系統
- 新世代電力系統的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.近日宣布，利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就，也是整個行業的一個重要里程碑，證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業電機和汽車動力傳動系統等傳統上由硅?IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應用領域未來五年的
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