案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯邦法院和美國國際
貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的
四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱英諾賽科）侵犯。 這些專利
涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設計，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎應用，并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設計中，相較于硅基器件所帶來的優勢。一 D類音頻功放的典型設計1. 什么是D類音頻功率放大器？D類功放最早由英國科學家Alec Reeves于1950年發明。簡單來說，D類功率放大器就是一種電子放大器，也稱為功率開關放大器，工作于脈寬調制，它將輸入信號轉換為脈沖流。D類功率放大器的輸出晶體管級作為電子開關運行，并且沒有像其他放大器那樣的線性增益。D類功率放大器通過接收傳入的模擬輸入信號并生成
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TI 氮化鎵 音頻功放
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優勢。GaN 產業上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化鎵
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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氮化鎵 GaN 電源管理
家用汽車早已邁入電氣時代，現如今汽車上的電器設備越來越多，汽車電源系統除了給發動機啟動電機、燈光、電動助力轉向等部件供電用電之外，還要滿足如多媒體影音系統、倒車雷達、手機充電、行車記錄儀、GPS導航儀等設備的用電要求。汽車電源系統一般是由發電機和蓄電池共同組成。早在汽車發展初期，電氣系統并未引入汽車產品，隨后因起動機的應用普及，汽車開始裝備了蓄電池，當時的電壓標準是6V。由于各類汽車電氣化設備得到大量應用6V系統所能提供的功率太低，無法滿足更多的“用電需求”，車載標準電壓就從6V提升到了12V。12V電壓
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PI 工業 新能源汽車 氮化鎵 功率開關
前10年一直在消費電子領域沖浪的氮化鎵（GaN）技術不斷創新發展，近兩年來逐漸在汽車、數據通信以及其他工業應用等行業嶄露頭角。氮化鎵應用不斷擴充消費領域一直是原始設備制造商（OEM）采用GaN的主要驅動力，其中電力設備市場為主流市場，快速充電器為主要應用，此外還包括一些音頻設備等。借助GaN，智能手機制造商可以制造尺寸更小且性價比更高的充電器。目前市場上大多數基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業界表示這是性價比的“最佳點”。但是，隨著市場對于更高功率的需求，智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨
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汽車 工業 氮化鎵
松下與英飛凌曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。松下與英飛凌曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不
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氮化鎵 松下
Transphorm拓展中國區業務,擴大氮化鎵應用實驗室大中華區新增辦事處提升服務亞太區域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支持、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當地支持客戶開發氮化鎵電源系統的應用實驗室，并同時支持全球研發工作。深圳辦事處將由Transphorm
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Transphorm 氮化鎵
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支持、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當地支持客戶開發氮化鎵電源系統的應用實驗室，并同時支持全球研發工作。深圳辦事處將由Transphorm現任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理，他同時也擔任中國區總經理一職。Trans
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Transphorm 氮化鎵
未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護，完美展現了氮化鎵在先進應用中高效率低損耗的核心價值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關特性，可以高頻工作，實現高轉換效率，氮化鎵PD快充成功實現了小型化和輕量化，消費者易于攜帶，用戶體驗大幅度提升。在過去
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氮化鎵 納芯微 隔離驅動器
德國時間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關電源IC——InnoSwitch4-Pro產品系列。了解PI產品的讀者肯定會記得，在上一代系列產品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業和消費類電池充電器、可調光LED鎮流器驅
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德國慕尼黑電子展 開關電源IC 氮化鎵 InnoSwitch4-Pro
11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業鏈領先企業的講師親臨現場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨，怎么能
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宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及電機驅動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領域的全球領導者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動工具和機器人的電機驅動器、用于工業應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉換器、用于充電器、適配器和電源供
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EPC 氮化鎵 高功率密度
前言 最近充電頭網拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產替代政策而設計。 該方案采用奶白色的外殼，方形，給人簡約時尚感覺；其內部采用卡扣散熱設計方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡單，免除其它散熱方案所需要的生產夾具，降低生產成本，利于規模化的生產制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產品，使得系統的熱可靠性大為提高，已經通過了環溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案。 能華65W快充外觀 能華
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