氮化鎵快充研發(fā)重大突破！三大核心芯片實現(xiàn)全國產(chǎn)

• 近日從供應(yīng)鏈獲悉，國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實現(xiàn)自主可控，性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。一、氮化鎵快充市場規(guī)模氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。也正是得益于這些性能優(yōu)勢，氮化鎵在消費類快充電源市場中有著廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，目前已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的
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VisIC 推出新的 8毫歐姆氮化鎵開關(guān)管 用于電動汽車逆變器

• 基于 D3GaN 技術(shù)的低導(dǎo)通電阻功率GaN 開關(guān)，用于 EV 市場專為 EV 逆變器應(yīng)用設(shè)計的新解決方案VisIC Technologies Ltd公司，汽車高壓應(yīng)用氮化鎵（GaN）器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，自豪地宣布其新的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品發(fā)布。針對電動汽車逆變器應(yīng)用，此款產(chǎn)品將有助于提高電機(jī)控制器效率，降低整機(jī)制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是支持客戶和改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的持續(xù)努力中的又一步驟。  8毫歐姆 D3GaN 功率開關(guān)管“與VisIC上一代產(chǎn)品相
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這顆國產(chǎn)器看似簡單：每個氮化鎵充電器都少不了

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

• 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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拆解報告：RAVPOWER 61W氮化鎵USB PD快充充電器RP-PC112

• 近期氮化鎵充電器市場競爭非常激烈，眾多知名品牌紛紛加入戰(zhàn)場，最近我們拿到了RAVPOWER的61W和65W兩款氮化鎵充電器。其中，RAVPOWER 61W氮化鎵充電器采用典型的方正圓角機(jī)身搭配可折疊插腳設(shè)計，非常便攜。產(chǎn)品具備齊全的電壓檔位，能夠很好的滿足手機(jī)和筆記本的快充需求。下面我們就和小伙伴分享這款充電器的拆解，看看其用料做工如何。一、RAVPOWER 61W氮化鎵充電器外觀RAVPOWER這款61W氮化鎵充電器采用圓角方正造型設(shè)計，機(jī)身正背面微微弧面凸起，再搭配上可折疊插腳，讓產(chǎn)品顯得非常小巧，攜
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第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林

• 日前，高新區(qū)管委會與位于臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進(jìn)會，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進(jìn)開展“云洽談”。這個亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商的領(lǐng)頭羊即將把16億元的項目放到漓東這片熱土上。
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氮化鎵射頻及功率器件項目在嘉興開工

• 近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計實現(xiàn)年銷售30億元以上，可進(jìn)一步推動嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？

• 半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進(jìn)一步發(fā)展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。GaN是一種新型的半導(dǎo)體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導(dǎo)體，也是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。與碳化硅（
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氮化鎵“爆紅”，康佳全面布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

• 提起康佳這個品牌,相信很多人第一印象都會想到電視機(jī)。不過近些年由于市場競爭的家居,康佳電視的風(fēng)光程度也大不如從前。不過康佳也早有未雨綢繆,從家電行業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)半導(dǎo)體芯片市場的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開始布局芯片市場。并且成果漸顯,首款存儲芯片實現(xiàn)量產(chǎn)引發(fā)多方關(guān)注。康佳入場芯片領(lǐng)域康佳集團(tuán)于1992年上市,曾是中國彩電和手機(jī)行業(yè)的龍頭公司,擁有消費多媒體、移動通信、信息網(wǎng)絡(luò)和相關(guān)配套器件等產(chǎn)業(yè)板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業(yè)轉(zhuǎn)型為以科技創(chuàng)新驅(qū)動的投資平臺,同時成立了半導(dǎo)體科技事業(yè)部,正式進(jìn)軍芯片
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ST與TSMC攜手推動氮化鎵使用率

• 加快先進(jìn)功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市；充分利用意法半導(dǎo)體的汽車市場專業(yè)知識和臺積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù)；改進(jìn)寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用獲得更高能效。
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC

• 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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5G時代，砷化鎵依舊稱王？

• 5G時代即將來臨，有觀點認(rèn)為第二代砷化鎵芯片面臨被取代的命運，甚至有許多砷化鎵廠商宣稱早已跨進(jìn)第三代...
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國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進(jìn)一步

• 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標(biāo)志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車？

• 在現(xiàn)實世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動社會發(fā)展

• 第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
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