- 宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器和人工智能的
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- VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下，待機功耗低于30 mW。此外，該器件的保護功能可提高穩健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業內同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開
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- 半導體研究隨著以空間技術、計算機為導向的第三次科技革命（1950年）拉開帷幕。半導體產業作為知識技術高度密集、資金密集、科研密集型產業，由上游（半導體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產品）組成。第一代半導體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類電子器件、集成電路中廣泛應用。第二代半導體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應用效果不理想，砷化鎵源材料有
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- 當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術的能耗繼續飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動下，基站無線電中的半導體器件數量急劇增加，移動網絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網絡的安裝和
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- 近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。 與三星、小米、OPPO等廠商積極發力氮化鎵快充產品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果 如今，蘋果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規模將達1
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- EETOP編譯整理自techinsights 在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優化器件性能。 由于GaN/AlGaN異質結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力?！ 〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K) 雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質結周圍的一個小區域。漸進式的改進 雖然不理想，但傳統的硅封裝可以而且已
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- 氮化鎵(GaN)是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰?！ aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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- 過去的2020年是5G手機大爆發的一年。5G手機無疑為大家帶來了更快的上網體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數據傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍。 當然，5G對數據傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術，實現在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧。 而這里其實有一個有趣的事實： 這項為5G手機帶來
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- 根據阿里巴巴達摩院發布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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- 氮化鎵充電器頻繁的出現在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看。 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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- 全有興65W氮化鎵快充開箱充電器采用PC材質白色外殼，整體高光亮面處理，邊角過渡圓潤。機身正面印有芯冠科技的中英文名稱。另一面設計有耕源科技中英文名稱，正背面這一設計表明了產品是基于芯冠科技和耕源科技的快充方案打造的。機身一側還有充電器相關參數產品型號：XG65T300輸入：100-240V 50/60Hz 1.5A輸出：65WUSB-A：5V2AUSB-C1/2：5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A產品已經通過了CCC、CE、FCC認證。輸入端外殼兩側加入雙翼設計，使用更加穩定。
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- ProMini是香港Magic-Pro旗下品牌，旗下產品包括了快充電池、快充數據線、快充充電器、無線車充、旅行充電器、影音周邊等系列產品，并且熱銷海內外，深受用戶青睞。近日，充電頭網入手了兩款來自ProMini的百瓦級桌面快充充電站，分別是130W 3C1A快充和200W 4C快充。同時為了實現小體積、高效率的設計，兩款產品均應用了第三代半導體氮化鎵技術，多個接口以及百瓦級大功率配置，讓這兩款產品可以一次滿足四臺設備的同時充電的需求，非常適合居家客廳、辦公室等使用場景。今天這篇文章先來給大家帶來ProMi
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- 隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩定，應用在工業和電動汽車上的產品也變得多樣化。作為半導體行業中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優勢作用，推出了有關氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產品，有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業領域上的應用發展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創新技術和推出新的產品系列，為世界控制碳排放做出貢獻?！ {查，工業領域中將電力利用效率提升1%，就能節約95.6億千瓦時的能源。這意味著節約了
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- 12月30日,聚劃算上線全新直播欄目《劃算8點檔》,創意打造明星直播真人秀綜藝,首推官店聯播創新模式,通過聚劃算官方直播間的中心化組織,實現對六大品牌直播間的精準流量扶持,同時以娛樂化的直播內容,為品牌打造跨年破圈聲量。這是《劃算8點檔》的首次亮相,也是聚劃算跨年直播的高光時刻。未來每晚8點,聚劃算都會為消費者帶來數個精選品牌直播間的極致劃算好貨。首創官店聯播新模式,明星真人秀沉浸式直播《劃算8點檔》是聚劃算跨年狂歡重磅推出的直播欄目,也是聚劃算在內容直播上的新嘗試。本次首推官店聯播模式,通過數位藝人齊聚
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- 近期PYS鵬元晟高科技股份有限公司針對大功率快充市場推出了一款90W氮化鎵快充充電器，配備1A1C萬金油接口，分別支持18W和90W快充，還支持18W+65W雙口同時快充策略。雙口快充、大功率、小巧便攜、插腳可換等是產品的優點，全面滿足消費者各種需求。下面充電頭網就對這款快充進行詳細拆解，看看用料做工如何?！ ≈档靡惶岬氖?，充電頭網已累計拆過鵬元晟30W PD快充充電器、鵬元晟20W PD快充充電器、鵬元晟折疊插腳20W PD快充充電器、鵬元晟65W PD氮化鎵快充、鵬元晟65W 1A1C氮化鎵快充充
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