NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉換器, 包括雙 VCC 架構, 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩定的波谷切換,當下降到第6
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現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優于硅器件，通常用于射頻應用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導通壓降，轉換效率高，也更適應高溫工作環境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應用場景，因而在電力電子應用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中電
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半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
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hofer powertrain為新一代電動汽車傳動系統奠定基礎。德國動力系統專家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術，通過汽車領域氮化鎵（GaN）技術領導者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術D3GaN（直驅D型）實現新的多級電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過硅基技術的性能，最近的測試證明了它的成功。氮化鎵半導體是提高效率、增加電動汽車行駛里程和壽命的關鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標是開發基于氮化鎵的
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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個US
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功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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前言65W氮化鎵充電器能夠為手機和電腦提供理想的快充體驗，同時不需要PFC，從成本和體積上都很有優勢，是工廠和消費者選擇的主力產品。隨著近年來平面變壓器技術的成熟，通過使用平面變壓器取代傳統繞線變壓器，充電器從常規的方塊形態進化成為餅干形態，更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協議降壓二合一芯片，在車充和氮化鎵快充中應用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開關管的初級主控芯片SW1106，支持直驅增強型氮化鎵開關管，進一步完善氮化鎵快充產品線，致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網已經
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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術的差異化優勢?電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與1
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基于氮化鎵器件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無刷直流電機驅動逆變器，采用具備嵌入式柵極驅動器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個3.3 mΩ導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電
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宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業領先供應商宜普電源轉換公司 為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch?4-CZ系列高頻率、零電壓開關(ZVS)反激式開關IC再添新品。當與Power Integrations的ClampZero?有源鉗位IC或者最近發布的HiperPFS?-5氮化鎵功率因數校正IC搭配使用時，新IC可輕松符合最新的USB PD 3.1標準，設計出高達220W的適配器和充電器。“商務旅行者需要輕便、緊湊、強大的適配器，能夠為他們所有的重要設備快速充電。新型InnoSwitch4-C
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基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，攜手研發車規氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯系，此次進一步合作的目標是共同開發GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)與創新型封裝技術相結合，可以滿
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?●? ?產品達到成本和性能雙重目標，現進入認證測試階段●? ?實現彈性量產和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。射頻硅基氮化
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在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個GaN組件，將能協助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發展。同時提供DC/DC轉換器與負載點（POL）轉換器所需的開發動能，進一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過去
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