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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

  • 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應(yīng)商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和T
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國際首次 中國成功研制出氮化鎵量子光源芯片

  • 《科技日報》19日報導，電子科技大學信息與量子實驗室透露，該實驗室研究團隊近日與北京清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學「銀杏一號」城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺，取得的又一項重要進展，相關(guān)成果發(fā)表在《物理評論快報》上。據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯(lián)網(wǎng)使用者擁有進行量子信息交互的能力。研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側(cè)壁與表面散射損耗等技
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我國研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片

  • 據(jù)天府絳溪實驗室官微消息，近日，電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺取得的又一項重要進展，也是天府絳溪實驗室在關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域取得的又一創(chuàng)新成果。據(jù)悉，研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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測試共源共柵氮化鎵 FET

  • Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設(shè)計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！

  • 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕。現(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機電、中微公司
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德州儀器計劃大規(guī)模將GaN芯片生產(chǎn)由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸

  • 根據(jù)韓國媒體THE ELEC的報導，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產(chǎn)的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉(zhuǎn)移到8英寸晶圓廠來生產(chǎn)。報導指出，德州儀器韓國公司經(jīng)理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發(fā)布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的GaN芯片JeromeShin指出，人們普遍認為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發(fā)生了轉(zhuǎn)變。因為德州儀器正在將其生產(chǎn)由6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓廠
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GaN企業(yè)，出售！

  • 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開發(fā)高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應(yīng)晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計的中壓應(yīng)用

  • 引言隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲以及人工智能(AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級增長。鑒于這些趨勢，設(shè)計人員面臨著一項重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計效率的同時，在相同的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的功率。這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設(shè)計中的廣泛應(yīng)用，原因在于GaN具有兩大優(yōu)勢：●? ?提高功率密度。GaN的開關(guān)頻率較高，使設(shè)計人員能夠使用體積更小的無源器件（
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全球GaN最新應(yīng)用進展！

  • 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領(lǐng)域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當前，GaN消費電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應(yīng)用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領(lǐng)域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標準和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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意法半導體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效

  • 2024 年 3 月 7 日，中國——意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難度，提高轉(zhuǎn)換能效，目標應(yīng)用包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和 AC/DC適配器。SRK1004的檢測輸入能夠承受高達190V 的電壓，可以連接高低邊功率開關(guān)管。共有四款產(chǎn)品供用戶選擇，僅器件選型就可以讓用戶優(yōu)化應(yīng)用設(shè)計，通過選擇5.5V或 9V的柵極驅(qū)動電壓，可以在設(shè)計選用理想的邏輯電平 MOSFET
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SR-ZVS與GaN：讓電源開關(guān)損耗為零的魔法

  • 當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。風暴仍在繼續(xù)，快充市場的迅猛發(fā)展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設(shè)備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應(yīng)多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級開關(guān)、初級側(cè)控制器、FluxLink?
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氮化鎵介紹

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