- 據云塔科技官微消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據悉，該項目是由中國科學技術大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯合攻關。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質集成射頻微系統
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- 就在幾個月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關部門發布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關注該領域的讀者突然意識到，不知道從什么時候開始，我國的鎵和鍺已經悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質科學院礦產資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產量則是壓倒性的占到了全球產量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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- 1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協議，根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。據悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型
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- 美國弗吉尼亞理工學院、州立大學和NexGen電力系統公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動態電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩定性進行了實驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結型場效應晶體管（JFET）器件。動態?RON描述了開關晶體管的電阻相對于穩定直流狀態下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個問題可能會導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命。”研究人員將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
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- 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
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- PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
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- 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動開發難題。這兩款產品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。這兩款新器件內置兩個連接成半橋的Ga
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- IT之家 12 月 11 日消息，據中國科學院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導體國際會議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導體材料在光電子、能源、通信等領域具有廣泛的應用前景。隨著下游新應用的快速發展以及襯底制備技術的不斷突破，氮化物半導體功率器件實現了成本和效率的大幅改善，
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- ●? ?助力工程師開發系統尺寸減半且效率超過 95% 的交流/直流解決方案，從而簡化散熱設計●? ?全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構德州儀器 (TI)近日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET) 全系列產品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀
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- 多年前，僅僅65W左右的筆記充電器如同磚頭一般大小，外出攜帶十分不便，但隨著隨著氮化鎵器件的全面使用，充電器的功率密度已經翻了一倍有余，同樣65W的充電器只有之前的一半大小，很輕松就可以放入包內攜帶。但隨著充電器集成度越來越高，對ACDC芯片的要求也愈加苛刻。為應對市場需求，鈺泰半導體潛心研發，相繼推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。鈺泰半導體ACDC芯片鈺泰半導體ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分規格如圖
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- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發新型半導體激增，電力半導體行業的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會產生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業正受到新材料制造的設備的挑戰和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續發展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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- 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
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- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開關技術。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關選項，包括725V硅開關、1700V碳化硅開關以及其它衍生出
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