全球光刻機大廠ASML近日發布2024年第2季度財報，實現凈銷售額62.4億歐元，同比下滑約7.6%，同比增長約18%，居于官方預測中間值。雖然半導體設備出口限制規定生效造成影響，但中國大陸需求持續旺盛，依然是ASML的第一大銷售市場，市占比依然高達49%，主要項目仍在未受限的DUV設備。 ASML總裁兼首席執行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示，正如此前幾個季度，半導體行業的整體庫存水平持續得到改善。無論是邏輯芯片還是存儲芯片客戶，對光刻設備的利用率都在進一步提高。宏觀環境為主的不確定
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ASML 光刻機
據寧波前灣新區管理委員會7月15日消息，近日寧波冠石半導體有限公司迎來關鍵節點，引入首臺電子束掩模版光刻機。據悉，該設備是光掩模版40nm技術節點量產及28nm技術節點研發的重點設備。光掩模版是集成電路制造過程中光刻工藝所使用的關鍵部件，類似于相機“底片”，光線經過掩膜版后，可在晶圓表面曝光形成電路圖形。目前，我國高精度半導體光掩模版產品主要仍依賴于進口，國產化率極低。據了解，冠石半導體主要從事45nm~28nm半導體光掩模版的規模化生產。當前，冠石半導體一期潔凈車間設計產能為月產5000片180nm~2
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光刻機 冠石半導體
與從「器材之王」跌落的尼康有何區別？
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光刻機
ASML去年末向英特爾交付了業界首臺High-NA
EUV光刻機，業界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA
EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA
EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA
EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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ASML Hyper-NA EUV 光刻機 臺積電 三星 英特爾
日前，日本三井化學宣布將在其巖國大竹工廠設立碳納米管 (CNT) 薄膜生產線，開始量產半導體最尖端光刻機的零部件產品（保護半導體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產品）。據悉，此種CNT薄膜可以實現92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學預期年產能力為5000張，生產線預計于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。
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光刻機 納米管薄膜 ASML
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
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ASML 光刻機 高NA EUV 0.2nm
IT之家 6 月 14 日消息，全球研發機構 imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機，目前仍處于開發的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時安特衛普（Antwerp）召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中，表示：“從長遠來看，我們需要改進光刻系統，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時，我們必須將所有系統的生產率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”
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光刻機 工藝制程
快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公開表示，美國嚴厲的芯片管控規定，只會倒逼中國廠商進步更快。ASML CEO表示，多年來，公司都不用擔心設備的去向會受到政治限制，但突然之間，這卻變成了全世界最重要的話題之一。過去一段時間，美國一直在向荷蘭施壓，以阻止中國獲得關鍵的半導體技術。去年，荷蘭政府宣布了新的半導體設備出口管制措施，主要針對先進制程的芯片制造技術，阿斯麥首當其沖。根據ASML今年1月1日發布的聲明，荷蘭政府撤銷的是2023年頒發的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統的出口許可證
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美國芯片管控 ASML 光刻機
ASML首席財務官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術路線發展受歐美限制，且光刻機已接近技術極限，此一技術路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續投入資源突破現有限制進行技術跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術路徑？將面臨艱難的抉擇。 據《芯智訊》報導，臺積電已經訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關設備訂單。ASML預測其設備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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ASML EUV 光刻機
6月6日消息，據外媒報道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進的光刻機，單臺造價達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統。英特爾此前已經訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時會收到設備。據悉，這些機器每臺造價3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車A
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ASML 光刻機 高NA EUV
據市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關鍵設備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當地時間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營。推動摩爾定律關鍵因素：High NA EUV技術據業界信息，High NA EUV技術是
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EUV 光刻機 EDA設計
6月6日消息，荷蘭光刻機制造商ASML今年將向臺積電交付其最新款光刻機。據公司發言人莫尼克·莫爾斯（Monique Mols）透露，首席財務官羅杰·達森（Roger Dassen）在近期的分析師電話會議中表示，包括臺積電和英特爾在內的ASML兩大客戶都將在今年年底前拿到高數值孔徑極紫外線（high-NA EUV）光刻機。英特爾已經下單購買了這款最新的光刻機，并于去年12月底將第一臺機器運至其位于俄勒岡州的工廠。目前尚不清楚臺積電何時會收到這些設備。臺積電代表表示，公司一直與供應商保持密切合作，但拒絕對此事
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ASML 臺積電 光刻機 英特爾 半導體
5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現未來
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5月25日消息，據外媒報道稱，俄羅斯首臺光刻機已經制造完成并正在進行測試。俄羅斯聯邦工業和貿易部副部長瓦西里-什帕克指出，該設備可確保生產350nm（0.35μm）的芯片。圖片來源：塔斯社報道截圖公開資料顯示，350納米尺寸芯片在當代較為落后，但是仍然可以應用于汽車、能源和電信等多個行業。該光刻機的研制成功對于俄羅斯未來實現自主生產芯片具有里程碑意義。圖片來源：全球半導體觀察制圖目前，全球光刻機的主要玩家依舊以ASML、尼康、佳能三家為主。據外媒公開消息，俄羅斯目前主有兩家主要的晶圓廠，分別是Mikron
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據外媒報道，目前，俄羅斯首臺光刻機已經制造完成并正在進行測試。俄羅斯聯邦工業和貿易部副部長瓦西里-什帕克（Vasily Shpak）表示，已組裝并制造了第一臺國產光刻機，作為澤廖諾格勒技術生產線的一部分，目前正在對其進行測試，該設備可確保生產350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國產光刻機，下一步將是開發90nm光刻機，并繼續向下邁進。此前，俄羅斯曾表示，計劃到2026年實現65nm的芯片節點工藝，2027年實現28nm本土芯片制造，到2030年實現14nm國產芯片制造。
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光刻機介紹
國外半導體設備
我公司擁有國外半導體設備,包括臺灣3S公司生產的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發臺。
濺射臺及探針臺等各種設備,世界知名劃片機企業英國Loadpoint公司生產的6英寸--12英寸
精密劃片機，300毫米清洗機,。
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