本周美光宣布,采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證,并做好了量產準備。 1β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關注的點是,美光稱,1β繞過了EUV(極紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。 這意味著相較于三星、SK海力士,美光需要更復雜的設計方案。畢竟,DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力,各公司目
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美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
在先進工藝上,臺積電今年底量產3nm工藝,2025年則是量產2nm工藝,這一代會開始使用GAA晶體管,放棄現在的FinFET晶體管技術。 再往后呢?2nm之后是1.4nm工藝,Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺,其中三星首個宣布2027年量產1.4nm工藝,臺積電沒說時間點,預計也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了,這個節點曾經被認為是摩爾定律的物理極限,是無法實現的,但是現在芯片廠商也已經在攻關中。 臺積電已經啟動了先導計劃,傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下
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光刻機 臺積電 摩爾定律 1nm
2028年實現光刻機自研,可支持7nm芯片制造!俄羅斯真有這個能耐?在芯片規則不斷的升級之下,各個國家不再相信基于美技術體系的國際產業鏈,而中、俄是產業被限制最嚴重的國家,因此在技術的自研上反應也是最強烈的,在中企相繼傳出好消息之后,俄科學院也官宣了好消息。根據海外傳來的消息,俄科學院IPF RAS已經全力參與光刻設備的研發,后續將會有整套的半導體設備誕生,并且其還高調宣稱:“自研的光刻機將在2028年商用,并且可用于7nm左右的芯片量產!”這就讓人納悶了,目前俄國依靠自主化的產業鏈,就連90nm工藝都無
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光刻機 俄羅斯
近期,全球半導體龍頭設備企業阿斯麥(ASML)、泛林(LAM)公布了其最新一季度財報,阿斯麥方面,最新一季度銷售額和利潤均超出市場預期,其新的凈預訂額也創下了紀錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示,ASML有望繼續向中國出貨非EUV光刻機;泛林方面,當季公司營收創下歷史新高,官方表示,2023年晶圓廠設備支出將下滑。ASML:有望繼續向中國出貨非EUV光刻機10月19日,光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數據顯示,ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元,超出此前業界預
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芯研所9月26日消息,近日美國開發和商業化原子精密制造技術公司Zyvex Labs宣布,其推出了全球分辨率最高的光刻系統——ZyvexLitho1TM。它沒有采用EUV光刻技術,而是基于STM掃描隧道顯微鏡,使用的是電子束光刻(EBL)方式。實現了0.768nm的原子級精密圖案和亞納米級分辨率芯片的制造,遠超EVU光刻機的精度。目前,5nm級及以下的尖端半導體制程必須采用EUV光刻機,而精度更高的2nm制程所使用的ASML新一代0.55 NA EUV光刻機,售價或將高達4億美元。但想要實現1nm以下更先進
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被美國給打醒!俄羅斯想造光刻機,全新的技術,對標了ASML的EUV誰都知道,俄羅斯已經被美國全面打壓了。俄羅斯的晶片需求量并不大,每年的進口量,也就是一億美元左右,大部分的晶圓廠,都不會和美國競爭。但俄羅斯的一億美金,在俄羅斯來說,就是一個天文數字。俄羅斯將會做什么?前段時間,有消息說俄羅斯準備重新做一臺光刻機。他的目標很明確,就是要用ASML的最新光刻機,去挑戰目前最尖端的EUV(UV)。當然,ASML也不可能戰勝ASML,因為ASML的EUV光刻機,都是全世界的人幫忙做的,俄羅斯這邊,根本就沒有人去做
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光刻機 俄羅斯
集微網消息,據日經新聞報道,尼康公司日前提出半導體光刻設備新的業務發展目標,即到 2026 年 3 月為止的財年,將光刻機年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報道稱,尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶,特別是日本本土和中國地區客戶,計劃將英特爾在光刻機設備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應 3D 堆疊結構器件如存儲半導體、圖像傳感器制造需求的光刻機新產品,已提高其在成熟制程設備市場的競爭力,目前,該公司平均每年售出 16 臺 ArF 光刻機(含二手翻新)。
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在俄羅斯開始對烏克蘭的特別軍事行動之后,西方國家開始對俄羅斯施加各種各樣的制裁。俄羅斯當前面臨嚴峻的商業環境和政治環境,許多信息產業的科技人才紛紛出走,尋找更加安全且有保障的就業環境。根據美媒1日的報道,烏克蘭戰爭爆發以來已經多7萬多名IT技術專家從俄羅斯離開,一些國家向俄羅斯的專業技術人才招手,充實自己的高新技術產業的發展。俄羅斯大量信息技術人才流失的情況已經得到俄羅斯電子通訊協會方面的承認,該協會上周向俄羅斯杜馬委員會遞交的報告之中指出,當前俄羅斯已經流失了5萬到7萬人的科技人才。盡管當前俄羅斯的人才
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全球半導體市場從產能緊張已經轉向過剩,部分領域跌價跌得厲害,比如顯卡、內存及SSD等,這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產計劃,結果就是ASML一度供不應求的EUV光刻機賣不動了,今年出貨量減少15臺。ASML昨天發布了2022年Q2季度財報,當季凈銷售額為54.31億歐元,好于市場預期的52.6億歐元,上年同期為40.20億歐元,同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元,上年同期為10.38億歐元,同比增長36%。雖然業績大漲,但是ASML對全年的預期更加悲觀,從之前預期增長20%下調到了增長10%,其
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毫無疑問,如今國內芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機,不過EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑,但并非唯一解。 對于國內廠商來說,當前在3D NAND閃存的發展上,就因為不需要EUV機器,從而找到了技術追趕的機會。而在DRAM內存芯片領域,盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV,可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術的3D 4F2 DRAM架構問世。他指出,基于HITOC技術所開發的全新架構3D 4F2
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6月17日消息,據外媒報道,臺積電高管周四表示,該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機。 臺積電研發高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術研討會上表示,“展望未來,臺積電將在2024年引入高數值孔徑的極紫外光刻機,為的是開發客戶所需相關基礎設施和模式解決方案,進一步推動創新。” 米玉杰并未透露新一代光刻機引入后何時用于大規模生產芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示,將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產芯片,并
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臺積電 光刻機
佳能將于2022年8月初發售KrF ※1半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產能升級配件包(以下簡稱“Grade10”升級包)。KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發售至今,已經在生產存儲器和邏輯電路的大型半導體器件制造廠商中收獲良好口碑,此次發布的“Grade10”升級包將助力該設備在300mm晶圓規格基礎上,以每小時高達300片※2晶圓的加工能力實現半導體光刻行業內的更高水平※3。
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光刻機 KrF
5 月 29 日消息,半導體行業花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術,而新的高數值孔徑 EUV 光刻(High-NA EUV)技術將會比這更快。目前,最先進的芯片是 4/5 納米級工藝,下半年三星和臺積電還能量產 3nm 技術,而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說,它們大都具有 0.33 NA(數值孔徑)的光學器件,可提供 13 nm 分辨率。目前來看,這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節點 (36 nm ~ 38 nm)
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光刻機是半導體芯片制造中的核心設備,日本佳能公司也有光刻機,現在賣得也不錯,推動業績大漲。很多人都知道佳能主業是相機,不過這幾年全球數碼相機業務持續下滑,佳能也難免受到沖擊,最近幾年增長的反而是其他業務,該公司即將發布2022財年(2021年4月到今年3月),預計全年利潤可達2500億日元,約合19億美元或者126億人民幣,比1月份公布的指引高出50億日元,同比大漲20%。推動佳能業績大漲的業務主要是安全攝像頭以及光刻機,而且隨著半導體設備投資的增加,佳能的光刻機業務還會持續增長。從佳能官網上可以查到,該
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佳能 光刻機
ASML公司雖然是荷蘭企業,但不少網友都把ASML公司“美”化了,這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前,中國半導體企業就曾向ASML公司支付了定金,采購了一臺EUV光刻機。然而,ASML公司卻遲遲沒有發貨,這也引起了網友的各種猜疑。眾所周知,全世界只有ASML公司能夠生產EUV光刻機,而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件,各方面的技術也是來自全世界各國的頂尖技術。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經收了定金,10億一部的EUV光刻機,ASML公司為何有生意不做呢?大部分的
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EUV ASML 光刻機
光刻機介紹
國外半導體設備
我公司擁有國外半導體設備,包括臺灣3S公司生產的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發臺。
濺射臺及探針臺等各種設備,世界知名劃片機企業英國Loadpoint公司生產的6英寸--12英寸
精密劃片機,300毫米清洗機,。
如您感興趣請登錄以下網站或Email:
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