ASML去年末向英特爾交付了業界首臺High-NA EUV光刻機，業界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。

據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多。如果情況屬實，意味著Hyper-NA EUV光刻機的價格也會在High-NA EUV光刻機的基礎上翻倍。購買最先進的設備涉及高昂的費用支出，讓臺積電（TSMC）、三星和英特爾變得猶豫不決。

由于High-NA EUV光刻機較高的定價，已經讓臺積電變得更加謹慎，計劃盡可能地讓現有EUV光刻機最大限度地發揮性能，通過適當地升級現有工具、更多地采用多重曝光等技術手段，以減輕采購新設備的投資壓力。此前臺積電已經公開表達了對High-NA EUV光刻機使用成本的擔憂，表示采用新技術的決定取決于最大經濟效益和可實現技術之間的平衡，并拒絕透露引入High-NA EUV技術的時間表。今年臺積電推出了A16工藝，在外界看來，一定程度上是為了延后啟用新設備的時間。

三星也在考慮High-NA EUV光刻機，不過隨著Hyper-NA EUV光刻機的時間表變得清晰，可能選擇調整其長期路線圖。有業內人士透露，對于涉及1nm以下的工藝，現在選擇High-NA EUV可能不是最佳選擇，其中一種可行性是最大限度地利用手上的EUV設備，跳過High-NA EUV，直接過渡到Hyper-NA EUV。

雖然英特爾是首個購入High-NA EUV光刻機的客戶，但是去年其代工業務虧損了70億美元，今年第一季度甚至虧損還擴大了。如果貿然采購下一代EUV光刻設備，很可能會面臨嚴峻的財務挑戰。