HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計算項目 (OCP) 全球峰會上，三星先進封裝團隊 Yan Li 向我們展示了一個比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內存 (HBM) 的進一步發展，熱和晶體管密度問題可能會得到解決。 通過光子學來解決。 光子學基于一種可以對單個光子（光的粒子/波）信息進行編碼的技術，這意味著它改善了（幾乎）我們當前計算環境中我們關心的一切。 功耗大幅降低（發射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達到飛秒級，傳播速度接近光
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HBM 集成電路
在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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三星 美光 HBM
IT之家 11 月 8 日消息，在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。圖源：三星最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產品和技術團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發出速度為 9.8Gbp
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由于各大企業對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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近日，HBM 成為芯片行業的火熱話題。據 TrendForce 預測，2023 年高帶寬內存（HBM）比特量預計將達到 2.9 億 GB，同比增長約 60%，2024 年預計將進一步增長 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過 TSV 技術得以實現，問世 10 年后 HBM 似乎真的來到了大規模商業化的時代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關系。AI 服務器對帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
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為解決高速運算下，存儲器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無法同步成長的問題，高帶寬存儲器（High Bandwidth
Memory，HBM）應運而生，其革命性傳輸效率是讓核心運算元件充分發揮效能的關鍵。據TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務器GPU搭載HBM已成主流，預估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB
，2024年將再成長三成。TrendForce集邦咨詢預估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產品5款、Midjourney的
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AI服務器需求，帶動HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲大廠在加速HBM布局。據韓媒《TheKoreaTimes》6月27日報道，三星電子將于今年下半年開始批量生產高帶寬內存（HBM）芯片，以滿足持續增長的人工智能（AI）市場。根據報道，三星將量產16GB、24GB的HBM3存儲芯片，這些產品數據處理速度可達到6.4Gbps，有助于提高服務器的學習計算速度。三星執行副總裁Kim
Jae-joon在4月份的電話會議上表示，該公司計劃在今年下半年推出下一代HBM3P產品，以滿
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2023年ChatGPT引發的AI熱潮仍在繼續，近期媒體報道，今年擁有云端相關業務的企業，大多都向英偉達采購了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時，由于英偉達大量急單涌入，晶圓代工企業臺積電也從中受益。據悉，英偉達正向臺積電緊急追單，這也令臺積電5納米制程產能利用率推高至接近滿載。臺積電正以超級急件（superhotrun）生產英偉達H100、A100等產品，而且訂單排至年底。業界認為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發展，未來市場對GPU的需求將不斷上升，并將帶動HBM以及
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AI GPU HBM 先進封裝
治療癌癥、減緩全球變暖、保護生態健康——當今世界充滿了各種挑戰。因此，通過科技緊跟時代發展步伐，并充分利用不斷增長的數據至關重要。這不僅涉及數據的處理速度，也涉及能夠處理的海量數據，以及數據在內存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設計工程部首席工程師、英特爾?至強? CPU Max系列（代號Sapphire Rapids HBM）首席架構師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰：究其根本，一顆CPU是從內存獲取信息、對其進行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數據傳輸“管道”的寬窄。
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AI服務器出貨動能強勁帶動HBM（high bandwidth
memory）需求提升，據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK
hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學習AI
GPU的規格也刺激HBM產品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD
MI300的搭載，三大原廠也已規劃相對應規格HBM3的量產。因此，在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下，SK海力士作為目
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高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一種可以實現高帶寬的高附加值DRAM產品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統。隨著計算技術的發展，機器學習的應用日漸廣泛，而機器學習的基礎是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經網絡模型。作為速度最快的DRAM產品，HBM在克服計算技術的局限性方面發揮著關鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎技術和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結構中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發過
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2020年6月28日，半導體和電子行業的年度盛會SEMICON China在上海隆重舉行。全球粘合劑市場的領先者漢高再次亮相此次展會，粘合劑技術電子材料業務在展會期間全方位展示了應用于先進封裝、存儲器和攝像頭模組等領域的創新產品和解決方案。先進封裝目前，全球半導體產業正處于一段轉折期，數據爆炸性增長推動了以數據為中心的服務器、客戶端、移動和邊緣計算等架構對高性能計算的需求，對5G部署、手持設備封裝中小型化和集成的持續需求，這些趨勢推動了先進封裝逐步進入成熟期。當前半導體和封裝技術快速發展，對于芯片與電子產
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挹注次世代存儲器半導體技術研發投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術，英特爾則正在研發嵌入式DRAM(eDRAM)。
據Digital Times報導，英特爾預計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個存儲巨頭的三星也進入了HBM存儲芯片市場，并且開始在2016年第一季度開始大規模生產。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產第二代HBM芯片。
業內人士指出，無論是三星電子還是SK海力士都正在計劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產第二代高帶寬顯存芯片，而實現大規模生產的時間預計在2016年的第一季度，但在這之前的試產以及生產的可靠性測試已經由SK海力
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作為最老資歷的PC組成部件，內存及內存存儲體系已經擁有了幾十年的歷史，其漫長的發展過程曾伴隨數次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內存。
目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內存還依標準不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
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