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HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

  • 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成
  • 關鍵字： HBM3e 12hi  良率  驗證  HBM  TrendForce  

HBM外另一大關注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

  • 隨著GDDR7存儲器標準規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
  • 關鍵字： HBM  存儲器  GDDR7  

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業(yè)務的副總裁 Ryu Seong-soo 當?shù)貢r間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
  • 關鍵字： 海力士  HBM  內存  

HBM 帶動，三大內存原廠均躋身 2024Q1 半導體 IDM 企業(yè)營收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
  • 關鍵字： 內存  存儲  HBM  

因 HBM3/3E 內存產能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能，這表明價格已經不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
  • 關鍵字： 海力士  HBM  存儲  

美光將在中國臺灣加碼投資，或聚焦HBM

  • 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。據(jù)悉，中國臺灣經濟部門于2021年5月申請領航企業(yè)研發(fā)深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發(fā)領航計劃，在中國臺灣設立第一個研發(fā)中心，獲補助47億元新臺幣，將研發(fā)先進制程落腳在中國臺灣生產。2021年，美光在中國臺灣申請
  • 關鍵字： 美光  HBM  

存儲技術，掀起一輪新革命

  • 內存市場迎來新一輪 DRAM 技術「革命」。
  • 關鍵字： HBM  

存儲產業(yè)的下一個“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務器CPU內核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節(jié)當?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內存模組
  • 關鍵字： 存儲產業(yè)  HBM  MRDIMM  MCRDIMM  

HBM4持續(xù)加速：AI時代競爭新焦點

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復雜計算的應用至關重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務器。
  • 關鍵字： HBM  AI  內存  

臺積電要抄三星的后路

  • 在芯片制造領域，先進制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經從之前的邏輯芯片晶圓代工領域，拓展到最先進的存儲芯片制造，這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當下的 3nm 制程晶圓代工，臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會越來越困難。在高帶寬內存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術難度和制造難度提高了不少，需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據(jù)報道，臺積電將于 7 月中旬開始試生產 2n
  • 關鍵字： HBM  

HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開，對一般型DRAM產生的排擠效應，加上產業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
  • 關鍵字： HBM  DRAM  美光  

巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆

  • 在英偉達一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上，少不了兩項關鍵技術支持，其中之一是由臺積電主導的 CoWoS 先進封裝，另一個便是席卷當下的 HBM（高帶寬存儲）。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語言模型，提高高性能計算（HPC）的工作負載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
  • 關鍵字： HBM  

SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術

  • 《科創(chuàng)板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
  • 關鍵字： SK  海力士  HBM  混合鍵合技術  

HBM新戰(zhàn)局，半導體存儲廠商們準備好了嗎？

  • 在半導體存儲領域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關注，這似乎也預示著HBM領域新的戰(zhàn)場已經開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標準的下一個版本：HBM4標準即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
  • 關鍵字： HBM  半導體  存儲  

信越推出新型半導體后端制造設備，可無需中介層實現(xiàn) HBM 內存 2.5D 集成

  • IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發(fā)的光
  • 關鍵字： 信越化學  HBM  先進封裝  
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