12 月 3 日消息，據韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經確定，有必要建立聯盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
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三星電子 SK 海力士 內存
10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業務規模，全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資，同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
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IT之家 8 月 20 日消息，據韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業進行電話溝通，并為滿足這些企業的需
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海力士 HBM 內存
IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務器需求激增影響，企業級固態硬盤（SSD）的價格飆升了 80% 以上。為滿足市場需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴產 NAND 閃存。AI 熱潮持續升溫，不僅帶動了高帶寬內存（HBM）芯片需求，如今也正在推動企業級 SSD 市場快速增長。AI 服務器存儲的數據量呈指數級增長，企業紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價確保供應。面對企業級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優先擴大采用四層單元（QLC）技
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IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能，這表明價格已經不太可能下降；再加上下半年是傳統旺季，預計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產Exynos 2500處理器時，最后統計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執掌芯片事業的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現惡性循環。全永鉉發備忘錄，警告員工必須改變職場文化，強調應停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現惡性循環。他直言，三星必須重建半導體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場，沒恢復根本的競爭力，將陷入惡性循環，重蹈去年營運的困境。」三星競爭對手SK海力士（SK Hynix）在AI內存領域追趕，
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7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產清洗工藝中使用更環保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續發展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產過程中的清洗工藝，用于去除沉積過程中腔室內部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
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《科創板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
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IT之家 7 月 1 日消息，據《韓國經濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產業銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業務擴張。韓國產業銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構，主要為韓國國家經濟發展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態系統綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產業銀行將向半導體企業發放 17 萬億韓元低息貸款，其中大企業可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
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IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
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在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統封裝的組裝流程。本文將是接下來的兩篇文章中的第一集，重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝(WLP)。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇
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海力士 封裝工藝
IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
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海力士 三星 DRAM
2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數據、算力的不斷升級，AI產業正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個領域展現出重要作用。AI的快速發展對算力的需求呈現井噴的態勢，全球算力規模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領域的優勢脫穎而出，然
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近期，三大存儲原廠陸續公布財報情況。西部數據：2024財年第三財季營收34.57億美元，同比增長23%。在Non-GAAP會計準則下，西部數據凈利潤為2.10億美元，上年同期凈虧損為4.35億美元，成功扭虧為盈。按業務劃分，西部數據該季云業務營收為15.53億美元，同比增長29%；客戶業務營收為11.74億美元，同比增長20%；消費者業務營收為7.30億美元，同比增長17%。按產品來看，西部數據NAND閃存營收達17.05億美元，HDD營收17.52億美元。展望下一季度，西部數據預計公司營收為36.0億-
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·結合并收入為12.4296萬億韓元，營業利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元·第一季度收入創同期歷史新高，營業利潤創同期歷史第二高·由于eSSD銷量增加及價格上升，NAND閃存成功實現扭虧為盈·“憑借面向AI的存儲器頂尖競爭力，將持續改善公司業績”2024年4月25日，SK海力士發布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬億韓元，營業利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業利潤率為2
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海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
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