AI服務器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產品HBM異軍突起，成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業界認為，HBM是加速未來AI技術發展的關鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產能售罄。與此同時，HBM技術再突破、大客戶發生變動、被劃進國家戰略技術之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內存的一種。從技術原理上講，HB
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三星 半導體存儲器 HBM
繼此前美光宣布 HBM 產能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產能也已經全部售罄。
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HBM
近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
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存儲 HBM SK海力士 美光科技
內存技術作為計算機系統的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。在這個背景下，高帶寬內存（HBM）以其卓越的性能表現，正逐漸在內存技術領域嶄露頭角，成為推動計算領域進入全新時代的關鍵力量。相較于傳統的動態隨機存取內存（DRAM），HBM 的性能優勢顯而易見。遠遠超越 DDRDDR 是一種常見的計算機內存類型，最早是為了提高內存傳輸速率而設計的。它采用了雙倍數據傳輸技術，即在每個時鐘周期內可以傳輸兩次數據，從而提高了數據傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
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HBM
最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現扭虧為盈，當季營業利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續的營業虧損情況。相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業績卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導體部門業績不佳影響，三星電子全年營業利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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SK海力士 HBM
馮·諾依曼架構將繼續存在，但人工智能需要新的架構，3D 結構需要新的測試工具。
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內存 HBM
內存產業復蘇明確，包括旺宏、南亞科、創見、鑫創、廣穎、鈺創、商丞等七家公司，去年12月營收呈現月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續漲。然全球第二大內存生產商SK海力士計劃階段性擴產，為內存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產幅度，NAND Flash生產策略可能視情況在第二季或第三季跟著調整。針對內存大廠有意擴產，國內存儲器廠商則認為，海力士擴廠應集中在DDR5和HBM（高帶寬內存）產品為主，因為臺灣目前產品主攻DDR4，不致影響產品報價。TrendForc
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DDR5 HBM 內存 TrendForce
在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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HBM DDR AI GPU 美光 海力士
預計英偉達 HBM3e 驗證將于 2024 Q1 完成。
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HBM 存儲
處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態隨機存取存儲器），它已經成為各種系統（PC，手機，數據中心等）中內存的代名詞。根據應用不同，系統對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數據速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數據速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數據中心的 CPU 服務，目前已經發展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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DRAM 封裝技術 HBM
據韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智能（AI）半導體相關業務，由現任全球銷售營銷部門負責人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內部的高帶寬內存（HBM）能力和功能，還將主導新一代HBM芯片等人工智能技術的發展，尋找并開發新市場。
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SK海力士 AI HBM 內存
今年以來，ChatGPT持續推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產品。DDR5：美光發布新品、三星計劃擴大產線當前DDR5制程已經來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內存，速率高達 7200
MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內存采用先進的High-K
CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品，性能提升高
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存儲器 DDR5 HBM
前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互聯技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
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芯片 TSV HBM NAND 先進封裝
存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的H
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三星 美光 HBM
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