存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。

大廠積極布局HBM

近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 

此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星正在開發HBM4，目標2025年供貨。據悉，三星電子正開發針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術，以應用于HBM4產品。

11月6日，美光科技宣布臺灣地區臺中四廠正式啟用。美光表示，臺中四廠將整合先進探測與封裝測試功能，量產HBM3E及其他產品，從而滿足人工智能、數據中心、邊緣計算及云端等各類應用日益增長的需求。

稍早之前，美光首席執行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E目前正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設計，提供24GB容量和超過1.2TB/s頻寬。公司計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露，預計2024年新的HBM將帶來「數億」美元的收入。

2024年市場需求將大幅轉往HBM3

當前HBM市場以HBM2e為主，隨著原廠不斷發力，未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調查顯示，當前HBM市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速芯片皆以此規格設計。同時，為順應AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。