財聯社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
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隨著半導體制造復雜性的不斷增加，相關的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數據顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產 ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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半導體芯片制程技術的創新突破，是包括英特爾在內的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關鍵制程技術突破，同時還肩負著讓英特爾重回技術創新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術創新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環繞柵極晶體管技術與PowerVia背面供電技術兩大關鍵技術突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術突破 實力出色RibbonFET全環繞柵極晶體管技術，是破除半
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英特爾 EDA 工藝
3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業務報告稱，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開始量產。由于該工藝專注于人工智能等高性能計算（HPC）領域，預計將在三星代工業務的復蘇中發揮關鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進的后端連線（BEOL）技術，能夠顯著提升芯片的整體性能，同時降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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據外媒報道，近日，英特爾投資者關系副總裁John Pitzer在公開澄清了關于基于Intel 18A制程的首款產品——Panther Lake推遲發布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發布，發布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發階段的表現還要略勝一籌。幾周前有技術論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現已與臺積電N2工藝相當。“雖然技術比較存在多
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1 月 22 日消息，半導體互聯 IP 企業 Blue Cheetah 美國加州當地時間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯 PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關，同時在面積和功耗表現上處于業界領先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
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11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯發科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯?；ミB PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術不僅實現了 64Gbps / bump 的行業最高性能，還在多芯粒架構中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標志著半導體互連領域的一次重大突破。IT之家注：芯?；ミB PHY 是一種用于連接多個芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實現高帶寬、低延遲和低功耗的數據傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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多年來持續試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統的設計和工程建設能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創新不應只在單點的芯片工藝上，而是應該在系統架構上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據《快科技》報導，在今天的數據大會上，華為常務董事張平安就芯片技術發展發言指出，「通過系統的設計和工程建設可以解決我們整體數字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差?！箯埰桨舱f，「在華為看來，AI數據中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數能結合?！乖谶@之
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近日，臺積電業務發展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強看來，臺積電的優勢在于，每年都能投產一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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Intel 3 3nm 工藝
此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯合創始人兼首席執行官 Timo Valtonen 認為這項技術有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環節。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變?！痹撔酒夹g涉及一個配套芯片，不產生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優化處理任務
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CPU 工藝 荷蘭
近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時寫入速度是NAND的1000倍數?；谏鲜鎏匦?，業界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
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在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
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