- 據韓媒報道，近日，三星電子在其內存業務部已完成HBM4內存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據該設計正式啟動了4nm制程的試生產。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發的 HBM4 內存樣品。此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產品能效表現，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
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三星 HBM4 4nm
- 據媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術，該技術將提供高達9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內存堆棧，推測它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設計人員能夠構建手掌大小的處理器。報道稱，完全希望采用臺積電先進封裝方法的公司也能使用其系統級集成芯片（SoIC）先進封裝技術垂直堆疊其邏輯，以進一步提高晶體管
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- 7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業的 CES 大展），包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術，促進了合作與創新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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- 據韓媒報道，韓國后端設備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯合開發下一代鍵合機，用于HBM4生產。根據報道，美光還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機，用于生產HBM3E，于今年4月向韓美半導體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據透露，美光正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產品 HBM4 中采用。HBM4 16H產品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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- HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內存）是一款新型的 CPU/GPU 內存芯片，其實就是將很多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內存技術突破了內存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代 DRAM 解決方案，也契合了半導體技術小型化、集成化的發展趨勢。過去 10 年里，HBM 技術性能不斷升級迭代，已經成為高性能計算領域重要的技術基石之一。2023 年初以來，以 ChatGPT 為代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
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- 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數據中心規模、一年節奏、技術限制、一個架構的路線，也就是使用統一架構覆蓋整個數據中心GPU產品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現有的高性能GPU架構代號"Blackwell"，已經投產，相關產品今年陸續上市，包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
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- 在晶圓代工領域，三星與臺積電是純粹的競爭關系，但在存儲芯片市場，作為行業霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。據 DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內存尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環節。作為英偉達 AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達驗證環節的重要參與者。據悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產品設定的檢測標準，而三星的 HBM3E 產品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環節采用了 MR-MUF
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- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
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- 一位業內人士表示，「『半導體游戲規則』可能在 10 年內改變，區別存儲半導體和邏輯半導體可能變得毫無意義」。HBM4，魅力為何如此？技術的突破2023 年，在 AI 技術應用的推動下，數據呈現出爆炸式的增長，大幅度推升了算力需求。據悉，在 AI 大模型領域，未來 AI 服務器的主要需求將從訓練側向推理側傾斜。而根據 IDC 的預測，到 2026 年，AIGC 的算力 62.2% 將作用于模型推理。同時，預計到 2025 年，智能算力需求將達到當前的 100 倍。據悉，自 2015 年以來，從 HBM1 到
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- 人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場需求持續看漲。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優勢，可以加快AI數據處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術迭代。存儲大廠持續發力，三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產品問世至今，HBM技術已經更新迭代出多款產品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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- 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術和HCB（混合鍵合）技術，以應用于該產品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業務團隊，以加強尖端封裝技術并最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。
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- AI大勢下，高帶寬內存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。另據韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產品制程技術，預計2026年量產HBM4。盡管HBM4將有大突破，但它不會很快到來。當前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機
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- 據韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產品制程技術，預計2026年量產新一代HBM產品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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