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Intel 2029年上1.4nm工藝?非官方路線圖

- Intel的制程工藝一直備受關(guān)注。今天早些時候,荷蘭光刻機巨頭ASML(阿斯麥)放出一張路線圖,赫然羅列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工藝節(jié)點,尤其是最后這個將在2029年上馬的1.4nm非常意外,是我們第一次看到非整數(shù)工藝節(jié)點。就此消息,快科技收到了Intel官方的澄清聲明。原來,這張路線圖并非完全來自Intel官方,而是ASML CEO Martin van den Brink拿了此前Intel 9月份公布的一張制程工藝更新PPT修改而來,自行添加了原來沒有的幾個工藝名稱,
- 關(guān)鍵字: 英特爾 CPU處理器 工藝 阿斯麥
格芯收購Smartcom的PDK工程團隊以擴充全球設計實現(xiàn)能力
- 近日,全球領(lǐng)先的特殊工藝半導體代工廠格芯(GF?)今日宣布從位于保加利亞索菲亞的Smartcom Bulgaria AD手中收購PDK(工藝設計套件)工程團隊。新收購的團隊將擴大格芯的規(guī)模和能力,增強格芯在專業(yè)應用解決方案方面的競爭力,提高成長潛力和價值創(chuàng)造能力。PDK(工藝設計套件)是一家公司集成電路(IC)設計與晶圓廠(制造客戶芯片產(chǎn)品)之間的關(guān)鍵接口。自2015年以來,Smartcom一直在為格芯的PDK開發(fā)和質(zhì)量保證提供支持,涵蓋從350nm至12nm的平臺技術(shù)。根據(jù)收購條款,格芯將收購Smart
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7nm+/6nm/5nm隨便選 AMD面臨幸福的煩惱

- 曾經(jīng),先進的制造工藝是Intel狠狠壓制AMD乃至整個半導體行業(yè)的絕對大殺器,但現(xiàn)在完全反了過來。Intel 14nm工藝遭遇前所未有危機,至今未能量產(chǎn),而臺積電、三星一路狂奔,10nm、7nm、5nm相繼上馬。雖然不同家的工藝技術(shù)不能完全看一個單純的數(shù)字,但不得不承認Intel確實被越甩越遠。 GlobalFoundries放棄7nm、5nm先進工藝研發(fā)后,AMD轉(zhuǎn)向了臺積電,這次算是傍上了大樹,接下來的從桌面到服務器再到筆記本,從處理器到顯卡,統(tǒng)統(tǒng)都是臺積電7nm。 7nm之后,臺積電更是還有7n
- 關(guān)鍵字: AMD TSMC 工藝
芯片設計企業(yè)該如何選擇適合的工藝?

- 如何向芯片設計企業(yè)推薦最合適的工藝,芯片設計企業(yè)應該怎么權(quán)衡?不久前,在珠海舉行的“2018中國集成電路設計業(yè)年會(ICCAD)”期間, 芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法。 圖 從左至右:Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司總裁王琦博士、芯原微電子創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士、UMC(和艦)公司副總經(jīng)理林偉圣 先進工藝選擇的考量 芯原微電子創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士稱,28 nm以前一切是很好的、沒有爭
- 關(guān)鍵字: 芯片 工藝
華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)
- 特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn),該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢,對于工業(yè)控制應用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。 第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺40V DMOS擊穿電壓達到52V,其導通電阻低至 20 mOhm.mm2,達到該節(jié)點領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動能力,減小芯片面積,擴大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-A
- 關(guān)鍵字: 0.18 BCD 工藝
莫大康:芯片制造業(yè)要具特色及相對集中
- 誠然現(xiàn)階段中國半導體業(yè)的發(fā)展,可能并非存在哪種模式下一定優(yōu)越,正是百花齊放的好時代。但是對于它的風險性可能尚缺乏足夠的重視與認識。因為半導體業(yè)有許多獨特的規(guī)律,其中生產(chǎn)線太分散,不但造成互相爭搶人材,力量不能集中,同時未來要保證生產(chǎn)線的連續(xù)運行是十分困難的。因為我們無法與如三星、臺積電、英特爾等大牌廠商相比擬,它們的單條生產(chǎn)線規(guī)模大,訂單穩(wěn)定,設備廠可以從它的提供服務中獲得收益。 -莫大康 2018年8月27日 半導體業(yè)的最大特征有兩條:一個是摩爾定律,每兩年工藝制程前進一個臺階,基本上同樣工藝
- 關(guān)鍵字: 芯片 工藝
半導體術(shù)語中英文對照表,趕緊get起來
- 半導體產(chǎn)業(yè)作為一個起源于國外的技術(shù),很多相關(guān)的技術(shù)術(shù)語都是用英文表述。且由于很多從業(yè)者都有海外經(jīng)歷,或者他們習慣于用英文表述相關(guān)的工藝和技術(shù)節(jié)點,那就導致很多的英文術(shù)語被翻譯為中文之后,很多人不能對照得上,或者不知道怎么翻譯。在這里我們整理一些常用的半導體術(shù)語的中英文版本,希望對大家有所幫助。如果當中有出錯,請幫忙糾正,謝謝! 常用半導體中英對照表 離子注入機 ion implanter LSS理論 Lindhand Scharff and Schiott theory,又稱“林漢德-斯卡夫-斯
- 關(guān)鍵字: 半導體,工藝
格芯稱在配合反壟斷調(diào)查 晶圓代工市場爭奪戰(zhàn)加劇
- 近日路透社報道稱,晶圓代工廠格芯(原格羅方德GlobalFoundries)指控晶圓代工龍頭臺積電涉有不公平的競爭行為,并向歐盟執(zhí)委會的反壟斷機關(guān)要求調(diào)查一事。 報道指出,格芯對臺積電的指控包括以忠誠折扣、排他性條款或罰款等方式威脅客戶,這嚴重影響到包括格芯在內(nèi)的其他行業(yè)參與者的競爭力,格芯要求歐盟官方應注意到少數(shù)幾家業(yè)內(nèi)參與者獨霸半導體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)象。 針對上述消息,格芯發(fā)言人向第一財經(jīng)記者表示,“格芯并未主動向歐盟提起投訴,而是在全面配合歐盟的反壟斷調(diào)查。”
- 關(guān)鍵字: 晶圓 工藝
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