知情人士稱，蘋果在臺積電美國亞利桑那州工廠（Fab 21）生產的4nm芯片已進入最后的質量驗證階段，英偉達和AMD也在該廠進行芯片試產。不過，臺積電美國廠尚不具備先進封裝能力，因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到，去年9月份就已開始為蘋果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠，目前正在對芯片進行認證和驗證。一旦達到質量保證階段，預計很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開始向蘋果設備供貨。▲ 臺積電亞利桑那州晶圓廠項目工地，圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項目
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據韓媒報道，近日，三星電子在其內存業務部已完成HBM4內存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據該設計正式啟動了4nm制程的試生產。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發的 HBM4 內存樣品。此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產品能效表現，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
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12月30日消息，據國外媒體報道稱，臺積電亞利桑那工廠將于2025年下半年開始量產4nm工藝，蘋果、英偉達、AMD 和高通等客戶將成為主要受益者。不過，對于消費者來說就不那么友好了，因為如果真是這樣的話，那么大家要承擔30%漲價。為什么這么說？報道中提到，臺積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠的一期（1A）廠區投產，但生產成本預計將比現有的高出30%，這是美國客戶需要考慮的問題。據悉，該工廠將負責4nm生產，但這是第一階段的計劃，因為在第二階段，臺積電計劃在2028年量產2nm，盡管目前這還有點不確定。按照
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據彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產線的試產良率已與臺積電位于臺灣地區的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產，而根據彭博社最新的報道來看，基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續如果量產，良率將不是問題。根據規劃，臺積電將在美國亞利
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7月29日消息，高通正式發布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術。CPU為八核心設計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內核和6個A55內核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內存。與前代產品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數有所降低，例如CPU大核主頻從2
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根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節點制程的產品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結構方面的創新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術，實現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
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這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領先地位，現在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領先地位。目前，Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個。In
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5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業內人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進行原型試產，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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IT之家 4 月 26 日消息，臺積電近日展示了全新 4nm 級別生產工藝 N4C，通過顯著降低成本和優化設計能效，進一步增強 5nm 級別生產工藝。臺積電公司近日舉辦了 2024 北美技術研討會，IT之家翻譯該公司業務開發副總裁張凱文內容如下：我們的 5nm 和 4nm 工藝周期還未結束，從 N5 到 N4，光學微縮密度改進了 4%，而且我們會繼續增強晶體管性能。我們現在為 4nm 技術陣容引入 N4C 工藝，讓我們的客戶能夠消除一些掩模并改進標準單元和 SRAM 等原始 IP 設計，以進一步
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4月11日消息，根據產業鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經取得了新的進展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產時間已經確定。2納米工藝的試產將于2024年下半年開始，而小規模量產將在2025年第二季度進行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產。到了2027年，臺積電將開始推進1.4納米工藝節點，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產時間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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IT之家 12 月 1 日消息，臺媒科技新報今日發布報告稱，高通的下一代旗艦 3nm 驍龍 8 Gen 4 處理器，仍然僅由臺積電代工，而非此前傳言的臺積電和三星雙代工模式。報告稱，根據最新的行業信息，由于三星對明年 3nm 產能的保守擴張計劃和良率不理想，高通已正式取消明年處理器使用三星的計劃。雙代工模式被推遲到 2025 年。去年 6 月底，三星開始大規模生產第一代 3nm GAA（SF3E）工藝，這標志著三星首次將創新的 GAA 架構用于晶體管技術。第二代 3nm 工藝 3GAP
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據中國臺灣經濟日報報道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠（Fab 22），并且完成該廠2nm營運團隊建設。臺積電供應鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態度及臺積電全盤規劃而定。報道指出，臺積電打破在不同產區同時生產最先進制程的慣例，將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規劃，改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產2納米制程。此前據TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中
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IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經超過 75%，這引發了人們對于三星擴大半導體代工客戶的猜測。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠曾經歷過產品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導致主要客戶紛紛轉向臺積電。結果，去年臺積電的資本支出和產能分別是三星電子代工業務的
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三星似乎已經解決了4nm工藝的一系列障礙。據Digitimes報道，三星在第三代4nm工藝的進步可能超出外界預期，從之前的60%提高到70%以上。
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