• 基于 D³GaN 技術的低導通電阻功率GaN 開關，用于 EV 市場

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• 專為 EV 逆變器應用設計的新解決方案

VisIC Technologies Ltd公司，汽車高壓應用氮化鎵（GaN）器件的全球領導者，自豪地宣布其新的低導通電阻產品發布。針對電動汽車逆變器應用，此款產品將有助于提高電機控制器效率，降低整機制造成本。新的8毫歐姆產品是支持客戶和改進電源轉換系統的持續努力中的又一步驟。

8毫歐姆 D3GaN 功率開關管

“與VisIC上一代產品相比，V8 產品將當前功率提高了一倍，電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動汽車應用客戶改進其逆變器系統，在尺寸、功率和成本方面更高效地實現設計目標。V8 產品是我們長期努力提供基于 D³GaN 技術更好解決方案的又一進步。新產品的改進工作是和我們領先的客戶密切合作完成的，為電動汽車的核心電氣驅動系統帶來有意義的改進，高功率牽引逆變器應用也可以此實現更高的功率密度。”VisIC市場營銷高級副總裁蘭·索弗先生補充說。

新產品的額定參數為 8毫歐姆、650伏特、200安培，與同類 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同電流范圍內可實現顯著降低的開關損耗。客戶可以將該新產品集成到分立封裝和功率模塊設計中。這項新技術可節省功率損耗，特別是在大電流電動汽車逆變器系統的功率循環測試中。

與現有的硅晶圓技術相比較，對于寬禁帶器件SiC和GaN來說，制造更大電流的裸芯片非常有挑戰。由于D³ GaN平臺的精心設計，以及VisIC公司制造合作伙伴臺積電的卓越制造，使得200安培 GaN功率晶體管的突破成為可能。這一突破將使電動汽車受益于GaN的高效技術，實現更具成本效益的電動汽車設計，助力于更綠色和清潔的地球。