4 月 17 日消息，據博主@數碼閑聊站 今日爆料，明年蘋果 / 高通 / 聯發科確定上臺積電 2nm，預計成本大幅增長，新機或許還會有一輪漲價。爆料還稱，今年的旗艦處理器 A19 Pro、驍龍 8 Elite 2、天璣 9500 都還會采用臺積電 N3P 工藝。對于今年的手機是否會漲價，該博主稱“今年還好，子系甚至有準備降價的”。臺積電預計今年下半年將開始量產 2nm 芯片。有消息稱臺積電 2 納米下半年量產的首批產能已被蘋果包下，將用來生產 A20 處理器，蘋果今年仍將穩居臺積電最大客戶。分析師郭明錤
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4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術的高效能運算（HPC）處理器，預計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發。N2是臺積電首個依賴于全環繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術，預計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運行電壓下的性能提高15%，同時晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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上個月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab
21，前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國，以滿足當地客戶日益增長的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格，以加快大規模生產的時間表。初代產品預計采用300mm
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值得注意的是，指南提及是根據特朗普當日簽署的備忘錄。然而僅隔一天，特朗普及其高級貿易官員卻又對外發布了截然相反的消息。特朗普表示這些產品“不存在關稅‘例外’”，稱它們仍然在“不同的關稅‘桶’中被征收20%的關稅”。
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4月9日，美國總統特朗普在共和黨全國委員會活動上自爆曾威脅臺積電，若不繼續在美國投資建廠，其產品進入美國將面臨高達100%的關稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠提供66億美元補貼，主張通過稅收威脅而非財政激勵推動制造業回流。10億美元罰款？據路透社援引知情人士透露，臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款，作為美國對其生產的芯片的出口管制調查結果。臺積電被指控通過第三方為中國大陸科技企業代工生產近300萬顆AI芯片，而根據美國出口管制條例，違規交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
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復雜國際形勢疊加終端需求冰火兩重天的景象之下，晶圓代工產業迎來調整時期，人事變動、整合傳聞屢見不鮮。與此同時，先進制程正加速沖刺，2nm芯片在今年將實現量產/試產，開啟半導體技術新紀元。三星晶圓代工部門調整，加強HBM業務競爭力近期，媒體報道三星電子DS部門針對代工部門人員發布了“定期招聘”公告，三星計劃把超過兩位數的晶圓代工事業部人員調往存儲器制造技術中心、半導體研究院以及全球制造及基礎設施總部。業界透露，三星此次調整主要是為了加強HBM領域競爭實力，其中三星半導體研究所招募人員是為了“加強HBM和封裝
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2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
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去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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創意2日宣布，自主研發的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進N3P制程技術，并結合CoWoS-R先進封裝，成為業界首個實現12 Gbps數據傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創新中間層（Interposer）布局設計優化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術下穩定運行于高速模式。 創意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數據傳輸需求、功耗效率提升1
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4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產階段。預計今年下半年首發該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產。此舉為“四年五個節點（5N4Y）”計劃立下關鍵里程碑。按照Intel的愿景，18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節點。值得關注的是，此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相，業界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。Intel 18A工藝將全球首次同時采用PowerVia背面供電和Rib
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4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！早在今年初，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產進度遠超預期，樂觀預計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產出8萬塊晶圓。現在，臺積電已經順利完成了2nm試產階段，良率超過60％，從而正式進入量產準備階段。目前，臺積電2nm已經開始承接客戶訂單，蘋果、AMD、Intel、博通等客戶正在爭相排隊，其中寶山工廠的首批產能全部供給蘋果，高雄工廠負責其他客戶。緊接著，臺積電就馬不停蹄地投入了下一代1.4nm工藝的相關工作。臺積電寶山P2(Fab
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日前，特朗普接受專訪時再度提到臺積電赴美投資重大里程碑，談及投資規模時，表示最大的芯片制造商將投資2000億美元，并稱臺積電董事長魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。臺積電的“赴美”之路· 2020年，臺積電宣布在亞利桑那州設立首個芯片生產基地，初期預計投資約120億美元；· 2023年，臺積電計劃進一步增加在美國的投資力度，決定在亞利桑那州增設第二個晶圓制造廠，這使臺積電在美國的總投資額提升至400億美元；· 2024年，為了更多利用《芯片和科學法案》所提供的補貼支持，臺積電再次擴大了其在美國的布局計劃，
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3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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此前的GTC2025大會上，英偉達執行長黃仁勛公布了最新技術路線藍圖，令業界頗為期待。最新消息，臺積電將與英偉達合作，開發下代先進小芯片GPU，與英偉達“Rubin”架構發揮作用，為Blackwell架構的后繼者。據外媒Digital Trends報導，小芯片與傳統單晶片GPU差別很明顯，有更高性能、可擴展性和成本效率。小芯片使芯片商將多個較小半導體芯片封裝成單一芯片，提高產量，降低生產成本。這在半導體產業越來越受歡迎，芯片設計越來越復雜，傳統制程縮放局限性越來越大，借助臺積電封裝制程，英偉達可提高GPU
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臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執行長陳立武帶領下，著重發展半導體設計與代工能力，正積極爭取英偉達與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達比博通更有機會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產品，但效能與功耗仍是英偉達考慮的重點。 另一方面，英特爾透過改善先進封裝技術，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯電的合作相當順利，最快可能在202
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臺積電介紹
臺灣積體電路制造股份有限公司
臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺灣積體電路制造股份有限公司網站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺灣積體電路制造股份有限公司簡介
臺積公司于1987年在新竹科學園區成立，是全球第一家的專業集成電路制造服務公司。身為業界的創始者與領導者，臺積公司是全球規模最大的專業集成電路制造 [
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