上個月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。

據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國，以滿足當地客戶日益增長的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格，以加快大規模生產的時間表。初代產品預計采用300mm x 300mm的面板尺寸，比之前測試使用的515mm x 510mm規格要小一些。

目前臺積電在中國臺灣桃園建造一條試點生產線，預計最早2027年開始試產。臺積電還曾嘗試與群創等面板廠商合作，不過最后選擇自行開發，原因是目前面板行業的精度和技術實力不足以滿足臺積電的標準。

臺積電的3D Fabric系統集成平臺對先進封裝進行了分類，包括了三個部分，分別是用于3D芯片堆疊技術的前端封裝SoIC、以及用于后端先進封裝的CoWoS和InFO系列，其中基于FOWLP（扇出晶圓級封裝）的InFO封裝在2016年首次應用于iPhone 7的A10處理器。

近年來又發展出了FOPLP技術，提供了單位成本更低的封裝，客戶也被更具成本效益的解決方案所吸引，從而導致需求不斷上升，不少芯片設計公司計劃用在新一代AI芯片上。