此前的GTC2025大會(huì)上，英偉達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛公布了最新技術(shù)路線(xiàn)藍(lán)圖，令業(yè)界頗為期待。最新消息，臺(tái)積電將與英偉達(dá)合作，開(kāi)發(fā)下代先進(jìn)小芯片GPU，與英偉達(dá)“Rubin”架構(gòu)發(fā)揮作用，為Blackwell架構(gòu)的后繼者。

據(jù)外媒Digital Trends報(bào)導(dǎo)，小芯片與傳統(tǒng)單晶片GPU差別很明顯，有更高性能、可擴(kuò)展性和成本效率。小芯片使芯片商將多個(gè)較小半導(dǎo)體芯片封裝成單一芯片，提高產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本。

這在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越來(lái)越受歡迎，芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜，傳統(tǒng)制程縮放局限性越來(lái)越大，借助臺(tái)積電封裝制程，英偉達(dá)可提高GPU能源效率和效能，非常適合人工智能、資料中心和高效能運(yùn)算等。

英偉達(dá)Rubin架構(gòu)GPU采用臺(tái)積電N3P制程，是臺(tái)積電3納米家族最佳化版，與前代相比，效能、功率效率和晶體管密度都有提升，最大限度發(fā)揮芯片優(yōu)勢(shì)，使英偉達(dá)保持能效同時(shí)，可以突破GPU性能極限。

為了最佳化GPU性能，英偉達(dá)還采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝如SoIC，芯片垂直堆棧提高電源效率，減少GPU芯片間傳輸延遲。

臺(tái)積電欲提高先進(jìn)封裝產(chǎn)能，并計(jì)劃年底擴(kuò)大SoIC產(chǎn)能。英偉達(dá)Rubin架構(gòu)系列采用SoIC，能充分利用HBM4功能。Vera Rubin NVL144平臺(tái)有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大小芯片的Rubin GPU，高達(dá)50PFLOP的FP4性能和288GB下代HBM4。更高階NVL576采用四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大小芯片的Rubin Ultra GPU，效能提升至FP4的100PFLOP，容納16個(gè)HBM堆棧上的1TB HBM4e。

英偉達(dá)采用小芯片符合產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，AMD和英特爾等都將類(lèi)似設(shè)計(jì)整合至處理器。芯片模塊化特性，芯片商可混合不同處理單元，最佳化特定工作效能。人工智能和高效能運(yùn)算推動(dòng)強(qiáng)大硬件需求，臺(tái)積電與英偉達(dá)合作GPU有望取得突破性進(jìn)展。