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光刻機(jī)
光刻機(jī) 文章 進(jìn)入光刻機(jī)技術(shù)社區(qū)
ASML CEO：美國(guó)造半導(dǎo)體光有錢(qián)不夠
- 12月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，全球光刻機(jī)巨頭阿斯麥ASML富凱（Christophe Fouquet）近期接受荷蘭媒體訪問(wèn)時(shí)，談到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。至于美國(guó)是否低估半導(dǎo)體技術(shù)的疑問(wèn)，富凱指出，不僅美國(guó)，所有人都低估了打造成功半導(dǎo)體廠的要素，“需要的不光是金錢(qián)，還必須投資研發(fā)，持續(xù)學(xué)習(xí)與嘗試，即使初期屢屢失敗，因此需要長(zhǎng)年的努力”他認(rèn)為在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電是全球最成功的企業(yè)之一，對(duì)于臺(tái)積電規(guī)模龐大且全球依賴(lài)臺(tái)積電芯片的現(xiàn)況，富凱直言，若產(chǎn)業(yè)內(nèi)僅剩少數(shù)大廠，反倒能推動(dòng)創(chuàng)新。他表示三星電子將會(huì)好轉(zhuǎn)
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俄羅斯大型晶圓廠突然宣告破產(chǎn)
- 12月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，俄羅斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因無(wú)力償還990萬(wàn)美元（約合人民幣7200萬(wàn)元）債務(wù)而宣布破產(chǎn)。Angstrem-T工廠于2007年開(kāi)始興建，位于有俄羅斯硅谷之稱(chēng)的澤列諾格勒，該工廠由前通信部長(zhǎng)Leonid Reiman管理。報(bào)道中提到，Angstrem-T還與M+W Germany GmbH簽訂合約金額為1.5億歐元，其任務(wù)是按計(jì)劃在2008年底前建造和啟動(dòng)Angstrem-T工廠，用于生產(chǎn)130nm~90nm芯片。由于財(cái)務(wù)狀況困難和資金不足，該公司年復(fù)
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日本首臺(tái)ASML EUV光刻機(jī)將運(yùn)抵，用于Rapidus晶圓廠試產(chǎn)
- 據(jù)日媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體代工企業(yè)Rapidus購(gòu)入的第一臺(tái)ASML EUV光刻機(jī)將于2024年12月中旬抵達(dá)北海道新千歲機(jī)場(chǎng)，這也將成為日本全國(guó)首臺(tái)EUV光刻設(shè)備。據(jù)Rapidus高管此前透露，該光刻機(jī)是較早期的0.33 NA型號(hào)，而非目前全球總量不足10臺(tái)的0.55 NA（High NA）款。按Rapidus此前的規(guī)劃，該公司計(jì)劃于2025年4月啟動(dòng)先進(jìn)制程原型線，該產(chǎn)線將擁有包括EUV光刻機(jī)在內(nèi)的共計(jì)200余臺(tái)設(shè)備。根據(jù)千歲市當(dāng)?shù)卣恼f(shuō)法，Rapidus 的 IIM-1 晶圓廠截至上月底已完成63%的
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臺(tái)積電稱(chēng)2025年如期量產(chǎn)2nm芯片
- 臺(tái)積電公開(kāi)稱(chēng)，高雄晶圓廠興建工程按照計(jì)劃進(jìn)行，并且進(jìn)展良好，2nm將如期于2025年量產(chǎn)。此前有消息稱(chēng)，高雄廠第一座2納米廠將于11月26日舉行進(jìn)機(jī)典禮，并自12月1日展開(kāi)裝機(jī)。ASML也已經(jīng)向臺(tái)積電交付了NAEUV光刻機(jī)，該光刻機(jī)是生產(chǎn)制造2nm及以下工藝芯片的最佳設(shè)備。臺(tái)積電明年量產(chǎn)2nm芯片，還是在高雄工廠，這說(shuō)明魏哲家說(shuō)的沒(méi)錯(cuò)，臺(tái)積電根留臺(tái)灣，最先進(jìn)的技術(shù)，也留在了臺(tái)灣省。芯片規(guī)則修改后，美明確想要臺(tái)積電最先進(jìn)的芯片技術(shù)，還要求更多芯片在本土制造。臺(tái)積電就加速在美建廠，連續(xù)投資超650億美元，建設(shè)
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圖說(shuō)光刻機(jī)的4大核心技術(shù)
- 7nm LPP EUV實(shí)際產(chǎn)品中EUV和ArFi的對(duì)比1. 實(shí)際的光刻機(jī)簡(jiǎn)要系統(tǒng)2. 7LPP是什么意思？臺(tái)積電的"7LPP"中"LPP"代表"Low Power Plus"，即"低功耗增強(qiáng)版"。7LPP是臺(tái)積電7納米工藝的一個(gè)變種，主要特點(diǎn)是在保持高性能的同時(shí)，進(jìn)一步優(yōu)化了功耗表現(xiàn)。7LPP工藝通過(guò)改進(jìn)晶體管設(shè)計(jì)和制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了比前代7納米工藝更低的功耗和更高的晶體管密度。具體來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電的7LPP工藝相較于10納米工藝，
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業(yè)績(jī)暴雷！ASML股價(jià)繼續(xù)大跌：想賣(mài)先進(jìn)光刻機(jī)給中國(guó)廠商 但不被允許
- 10月17日消息，由于業(yè)績(jī)暴雷，這導(dǎo)致光刻機(jī)龍頭ASML股價(jià)暴跌，而兩天時(shí)間股價(jià)已跌超20%。據(jù)官方公布的數(shù)據(jù)看，阿斯麥（ASML）今年第三季度接到的訂單大幅減少，總訂單金額約為26億歐元，不到上一季度近56億歐元的一半。消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道當(dāng)天在報(bào)道中表示，由于美國(guó)和荷蘭相關(guān)出口限制措施，阿斯麥在其中國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)前景引發(fā)投資者擔(dān)憂。阿斯麥此前一個(gè)季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，這家企業(yè)49%的銷(xiāo)售額來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)。另外，投資人士分析報(bào)道，美國(guó)主導(dǎo)的對(duì)華出口限制導(dǎo)致阿斯麥來(lái)自中國(guó)的訂單有所減少。之前ASML曾表示，也希望
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ASML凈銷(xiāo)售額75億歐元，凈利潤(rùn)為21億歐元，預(yù)計(jì)2024年全年凈銷(xiāo)售額約為280億歐元
- 阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財(cái)報(bào)。2024年第三季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷(xiāo)售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤(rùn)達(dá)21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計(jì)2024年第四季度的凈銷(xiāo)售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷(xiāo)售額約為280歐元。ASML還預(yù)計(jì)，2025年的凈銷(xiāo)售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財(cái)報(bào)一覽（除非特別說(shuō)明，數(shù)字均以百萬(wàn)歐元
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俄羅斯計(jì)劃開(kāi)發(fā)本土光刻機(jī)等芯片制造工具
- 據(jù)外媒報(bào)道，近日，俄羅斯政府已撥款超過(guò)2400億盧布（約合人民幣175億元）支持國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、CAD工具及原材料研發(fā)，目標(biāo)是到2030年實(shí)現(xiàn)對(duì)于國(guó)外約70%的半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)替代。該計(jì)劃已經(jīng)啟動(dòng)了41個(gè)研發(fā)項(xiàng)目，并計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)再啟動(dòng)43個(gè)新項(xiàng)目，共計(jì)110個(gè)研發(fā)項(xiàng)目。這些項(xiàng)目將覆蓋從180nm到28nm的微電子、微波電子、光子學(xué)和電力電子等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域，為俄羅斯微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。據(jù)悉，該計(jì)劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國(guó)際科學(xué)技術(shù)中心 （ISTC）MIET 電子工程部制定
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中國(guó)廠商貢獻(xiàn)50%銷(xiāo)售：光刻機(jī)廠商ASML被美國(guó)壓制 無(wú)法獨(dú)善其身
- 9月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，在美國(guó)要求下，ASML明年可能無(wú)法為中國(guó)廠商維修光刻機(jī)。報(bào)道中提到，在ASML某些在中國(guó)提供服務(wù)和備件的許可證于今年年底到期后，現(xiàn)在的荷蘭首相很可能不再為其續(xù)期，而相關(guān)決定是在美國(guó)施加一定壓力后做出的。目前的情況是，ASML的銷(xiāo)售額中，約有一半來(lái)自中國(guó)。荷蘭新任首相也公開(kāi)表示，上述規(guī)則變動(dòng)會(huì)非常謹(jǐn)慎，因?yàn)檫@會(huì)影響光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）的經(jīng)濟(jì)利益這位新的首相直言：“我們正進(jìn)行良好的談判。我們也正特別關(guān)注阿斯麥的經(jīng)濟(jì)利益，這些利益需要與其他風(fēng)險(xiǎn)權(quán)衡，而經(jīng)濟(jì)利益是極其重要的
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
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ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來(lái)新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過(guò)
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臺(tái)積電：仍在評(píng)估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報(bào)》昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對(duì)此，臺(tái)積電海外營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，仍在評(píng)估 High NA EUV 應(yīng)用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺(tái)積電交付首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8
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中國(guó)大陸仍是ASML光刻機(jī)最大買(mǎi)家 占全球總銷(xiāo)售額49％
- 全球光刻機(jī)大廠ASML近日發(fā)布2024年第2季度財(cái)報(bào)，實(shí)現(xiàn)凈銷(xiāo)售額62.4億歐元，同比下滑約7.6%，同比增長(zhǎng)約18%，居于官方預(yù)測(cè)中間值。雖然半導(dǎo)體設(shè)備出口限制規(guī)定生效造成影響，但中國(guó)大陸需求持續(xù)旺盛，依然是ASML的第一大銷(xiāo)售市場(chǎng)，市占比依然高達(dá)49%，主要項(xiàng)目仍在未受限的DUV設(shè)備。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示，正如此前幾個(gè)季度，半導(dǎo)體行業(yè)的整體庫(kù)存水平持續(xù)得到改善。無(wú)論是邏輯芯片還是存儲(chǔ)芯片客戶，對(duì)光刻設(shè)備的利用率都在進(jìn)一步提高。宏觀環(huán)境為主的不確定
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國(guó)產(chǎn)廠商引入首臺(tái)光刻機(jī)設(shè)備！
- 據(jù)寧波前灣新區(qū)管理委員會(huì)7月15日消息，近日寧波冠石半導(dǎo)體有限公司迎來(lái)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，引入首臺(tái)電子束掩模版光刻機(jī)。據(jù)悉，該設(shè)備是光掩模版40nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)及28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)研發(fā)的重點(diǎn)設(shè)備。光掩模版是集成電路制造過(guò)程中光刻工藝所使用的關(guān)鍵部件，類(lèi)似于相機(jī)“底片”，光線經(jīng)過(guò)掩膜版后，可在晶圓表面曝光形成電路圖形。目前，我國(guó)高精度半導(dǎo)體光掩模版產(chǎn)品主要仍依賴(lài)于進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率極低。據(jù)了解，冠石半導(dǎo)體主要從事45nm~28nm半導(dǎo)體光掩模版的規(guī)模化生產(chǎn)。當(dāng)前，冠石半導(dǎo)體一期潔凈車(chē)間設(shè)計(jì)產(chǎn)能為月產(chǎn)5000片180nm~2
- 關(guān)鍵字： 光刻機(jī) 冠石半導(dǎo)體
光刻機(jī)介紹
國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備
我公司擁有國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺(tái)灣3S公司生產(chǎn)的光刻機(jī),涂膠臺(tái),
金絲球焊機(jī),電子束蒸發(fā)臺(tái)。
濺射臺(tái)及探針臺(tái)等各種設(shè)備,世界知名劃片機(jī)企業(yè)英國(guó)Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸
精密劃片機(jī)，300毫米清洗機(jī),。
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