- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業提升到了一個新的門檻，克服了先進節點下DRAM擴展的主要發展障礙。"三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
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三星 LPDDR5 DRAM
- 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統，發展到現在的深度學習與車聯網（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監控系統等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產商與車輛制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發是始于最基本的構架，針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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DRAM NAND
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。 圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 6月6日，長三角一體化發展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內存雙雙量產，其中內存國產化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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國產 DRAM 內存 合肥長鑫
- 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產業狀況發表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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存儲器 10nm 南亞科 DRAM
- 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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三星 DRAM
- 從20nm技術節點開始，漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節點接觸 (SNC) 之間的電介質泄漏；(d) DRAM電容處的電介質泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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DRAM GIDL
- 據ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產中。
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三星 EUV DRAM
- 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。這家韓國巨頭今日宣布，已經出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會使12
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三星 DRAM EUV
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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存儲器、NAND、DRAM
- 最近的疫情危機給全球大多數電子產品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會是暴跌50%。不過內存廠商現在可以輕松下了，Q1季度開始就進入全球牛市，預計會連漲七個季度，也就是2020年底才可能穩下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態對生產基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血，內存及SSD硬盤的現貨價應聲而起，1月份就漲價高達30%。那這一波內存漲價要持續多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發表報告評估了內存市場的發展趨勢，他認為內存漲價將持續至少7個
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DRAM、內存
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