瑞薩電子推出第三代DDR5暫存時脈驅動器（RCD）和第一代用戶端時脈驅動器（CKD）用于新興的服務器及用戶端DDR5 DRAM。藉由這些新的驅動器IC，瑞薩成為一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用提供完整DDR5存儲器界面產品組合的供應商。

DDR5 RCD和DDR5 CKD IC使新一代DIMM的速度分別高達6400和7200 MT/s，高于目前的5600 MT/s。瑞薩第三代DDR5 RCD專為暫存式DIMM（RDIMM）而設計。CKD支持最高7200 MT/s的速度，并且是業界首款針對小型DIMM（SODIMM）、無緩沖DIMM（UDIMM）、高效能游戲DIMM和嵌入式等的一般用戶應用。

Balaji Kanigicherla, Corporate Vice President and General Manager of the Advanced Mixed Signal and ASIC Solutions Division at Renesas表示，作為業界領先的存儲器界面產品供應商，瑞薩將持續為存儲器生態系統做出貢獻以將效能和功耗提升至新的領域。藉由在制定和實現DDR5界面規范中所扮演的重要角色，瑞薩將持續成為全球領先的SOC和DRAM廠商在DIMM和系統級應用方面的重要合作夥伴。

Dr. Dimitrios Ziakas, Vice President of Memory and IO Technologies at Intel表示，基于Intel Xeon平臺旨在支持存儲器密集型應用，例如深度學習和機器學習的預測分析。第三代RCD是存儲器業界的一個重要里程碑，有助于滿足數據中心客戶對帶寬和容量擴充的需求。用戶端時脈驅動器是一項業界創舉，旨在進一步增強用戶端DIMM。瑞薩和英特爾一直與業界合作，協助確保第三代RCD和用戶端時脈驅動器的規范和實現，以滿足市場需求。

RCD驅動器用于緩沖主機控制器和DRAM模塊之間的命令地址（CA）匯流排、芯片選擇和時脈信號，此外亦可當成BCOM（緩沖通訊匯流排）用于LRDIMM的數據緩沖。新驅動器將DFE（決策回授等化）分接點（taps）從4個增加到6個來改善DFE以提升接收器余裕，同時I2C和I3C的旁帶匯流排可提供對暫存器的直接存取控制。

CKD用于緩沖主機控制器和DRAM之間的時脈，這是對DDR5 DIMM在最高7200 MT/s運作下的新要求，適用于用戶端DIMM和嵌入式等應用。新的時脈驅動器支持I2C和I3C旁帶存取以開啟非同步控制，提供對內部控制暫存器的存取以設定元件功能，并適應不同的SODIMM和UDIMM配置及嵌入式的應用。

瑞薩已將RCD和CKD驅動器與其他產品組合中的兼容元件互相搭配使用成為成功產品組合，例如CKD可與DDR5電源管理IC（PMICs）和串行存在檢測（SPD）集線器搭配。RCD也可與瑞薩的溫度傳感器、SPD Hub、PMICs和數據緩沖器搭配。成功產品組合是經過技術審查的系統架構，來自相互兼容的元件，這些元件可完美的搭配使用以帶來最佳化的低風險設計，進而加快上市時間。瑞薩提供超過400種成功產品組合及各種元件，使客戶能夠加快設計過程并更快地將產品推向市場。