全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開。 其
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MRAM DRAM
Mar. 25, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續至第三季。 根據DRAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經普遍超過六周 (含wafer
bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。 進
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集邦咨詢 DRAM
根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發展半導體產業，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續技術精進下，加上美國對知識產權的嚴密保護，其目的將難以達成。 報導指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發布了自行研發的32層堆疊產品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產品，直接發展128層堆疊的產品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經推出了32層堆疊的NANDFlash快
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DRAM NANDFlash
近日，半導體產業市場調研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)公布的最新的存儲芯片行業調研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預期，創8年以來最大跌幅。一度被調侃為“價格跑贏了房價”的內存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現。
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存儲 DRAM
根據據韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀。 在韓國電子產品價格比較網“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%。 B2B(企業間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
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DRAM SK海力士
據市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指，今年以來DRAM內存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續下跌導致位置不保。 存儲芯片價格持續上漲助三星取代Intel 自2016年以來，受PC、智能手機等產品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段。 作為
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三星 DRAM
Mar. 5, 2019 ----
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，由于供過于求的市況，DRAM產業大部分交易已經改為月結價(Monthly
Deals)，2月份更罕見出現價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。 DRAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer
bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
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DRAM
據businesskorea報道，中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。 然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴。 韓國企業對該計劃持謹慎態度，主要有兩個原因。 首先，中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業的影響。
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NAND DRAM
作為IC晶圓生產直接的原材料，全球硅片行業經歷了從6寸向12寸的迭代，同時生產中心由美國轉移到了日本。目前日本憑借半導體產業分工帶來的機遇占據硅片行業50%以上份額，但......
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硅片 DRAM
據外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。 接受采訪時，SK海力士研發Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內發展起來。 Kim
Dong-kyun透露，“后DDR5”產品已經有幾套技術概念成型，其中一套延續現有的數據傳輸規范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統的處理技術結合。 資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
業界都謹慎地觀察2019年中國半導體業的發展態勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導體業的弱勢;中國集成電路產業發展由產能擴充階段轉向產品增長的攻堅戰;以及在貿易戰下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業的增長。
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半導體 DRAM 存儲器
盡管隨著主要存儲器業者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃，2019年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續高于各業者在DRAM與晶圓代工業務上的支出。 ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業務資本支出金額的219億美元。
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DRAM 晶圓 Flash
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類。 在很多的存儲系統的寫操作程序中，內存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發生突然間斷電的情況，如何保護內存中的數據不丟失，這是存儲系統中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，里面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
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存儲器 DRAM
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年12月正值歐美年節時期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價計算，意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預估更為疲弱，以及短中期經濟展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美
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DRAM，價格
隨著中美談判嘗試結束貿易戰，對于兩國沖突的一個關鍵方面——針對涉嫌盜竊商業機密的刑事起訴，美國謀求新的策略來打擊中國實現內存芯片量產的愿景。據外媒報道，當地時間本周三，福建晉華與其合作伙伴臺灣聯電被控竊取商業機密一案在舊金山聯邦法院審理，預計晉華和聯電將做無罪辯護。
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晉華 DRAM 聯電
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