三星率先為DRAM芯片導入EUV:明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產
當前在芯片制造中最先進的EUV(極紫外光刻)工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202003/411342.htm這家韓國巨頭今日宣布,已經出貨100萬第一代10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組,并完成全球客戶評估,這為今后高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。
得益于EUV技術,可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟,并進一步提升產能。
三星表示,將從第四代10nm級(D1a)DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV,明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片,預計會使12英寸晶圓的生產率翻番。
不過,目前支持DDR5的PC平臺尚未亮相,LPDDR5倒是已經逐漸鋪開。三星量產的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb(2GB),地點是平澤市的V2線。
根據三星此前的預判,EUV將幫助公司至少推進到3nm尺度。
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