都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設備的價格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時透露，他們正在全力研制劃時代的新光刻機high-NA EUV設備，而高NA EUV光刻機系統的單臺造價將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個價格什么概念，一搜頂級航母的價格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設備可以買三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過數億美元，作為下一代產品身價
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光刻機 ASML EUV
近日，據國家知識產權局官網消息，華為技術有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術相關的專利，專利申請號為202110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關鍵技術之一。隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。相關技術的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關系，當
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EUV 光刻 華為
本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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近期，全球半導體龍頭設備企業阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤均超出市場預期，其新的凈預訂額也創下了紀錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當季公司營收創下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設備支出將下滑。ASML：有望繼續向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數據顯示，ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元，超出此前業界預
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微影設備業者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術推進，預期2025年之后新一代EUV曝光機每小時曝光產量可達220片以上，以因應客戶端先進制程推進至埃米（Angstrom）世代對先進微影技術的強勁需求。雖然2023年半導體市況能見度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導體廠仍積極投資EUV產能，加上制程推進會帶動光罩層數增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營運將
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微影技術 ASML EUV
在美國拼命打壓中國之際，荷蘭光刻機巨頭ASML卻相反，根據該公司透露的消息，ASML今年將在中國招聘200多名員工，以跟上中國的增長步伐，這意味著ASML 在華員工人數已超過 1500 人，占ASML公司全球員工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想賺錢，雖然臺積電、三星等買去了荷蘭ASML公司的大部分EUV光刻機，但ASML公司可以在中國銷售DUV等光刻機。而且，2021年ASML的第一大客戶就是中國大陸芯片企業，中國大陸芯片企業為ASML貢獻了超過290億美元，而中國臺灣和韓國
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ASML EUV
泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰略合作，將為全球半導體制造商提供可靠的前體化學品，用于下一代半導體生產所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創新技術。三方將合作對未來幾代邏輯和 DRAM 器件生產所使用的 EUV 干膜光刻膠技術進行研發，這將有助于從機器學習和人工智能到移動設備所有這些技術的實現。? ? ? ? ? ? ?
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毫無疑問，如今國內芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機，不過EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對于國內廠商來說，當前在3D NAND閃存的發展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術追趕的機會。而在DRAM內存芯片領域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術的3D 4F2 DRAM架構問世。他指出，基于HITOC技術所開發的全新架構3D 4F2
DRA
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5 月 29 日消息，半導體行業花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術，而新的高數值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產 3nm 技術，而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說，它們大都具有 0.33 NA（數值孔徑）的光學器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節點 (36 nm ~ 38 nm)
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Intel的12代酷睿處理器去年就已經發布，首次上了性能+能效的異構設計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發布，屬于12代的改進版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個EUV工藝。 14代酷睿的架構也會大改，第一次采用非單一芯片設計，彈性集成多個小芯片模塊，包括下一代混合架構CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封
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英特爾 EUV 4nm
半導體設備大廠應用材料推出多項創新技術，協助客戶運用極紫外光（EUV）持續進行2D微縮，并展示業界最完整的次世代3D環繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術優化（DTCO）與3D技術，巧妙地藉由優化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網絡與環繞閘極晶體管，隨著傳統2D微縮技
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ASML公司雖然是荷蘭企業，但不少網友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒有發貨，這也引起了網友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件，各方面的技術也是來自全世界各國的頂尖技術。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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EUV 光刻機 俄羅斯 疊加芯片
通用汽車(GM)已經恢復了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產，現在它們可以獲得新電池組的供應，而這些電池組應該不會有火災隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災而被召回，該次召回影響到了所有的車型，導致Bolt EV和EUV汽車的生產自去年8月起完全凍結。“我們的目標是恢復并坦率地說超過業務指標，”雪佛蘭營銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會議上說道。Bolt的復出計劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開始）、將在MLB開幕日投放的新電視
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euv介紹
在半導體行業，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
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