微影設備業者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術推進，預期2025年之后新一代EUV曝光機每小時曝光產量可達220片以上，以因應客戶端先進制程推進至埃米（Angstrom）世代對先進微影技術的強勁需求。

雖然2023年半導體市況能見度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導體廠仍積極投資EUV產能，加上制程推進會帶動光罩層數增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營運將優于今年。

ASML日前說明EUV技術及曝光機技術藍圖，以目前主流的0.33數值孔徑（NA）來說，2021年晶圓代工5奈米制程每片晶圓平均光罩層約逾10層，但2023年制程進入3奈米之后，每片晶圓平均光罩層約將倍增達20層。

DRAM制程目前采用EUV技術完成約5層光罩層量產，但明年后將提升至8層光罩層，部分制程將會采用多層曝光（multi-patterning）而達每片晶圓10層光罩層。

過去幾年包括晶圓代工廠及DRAM廠擴大資本支出建置EUV產能，ASML統計至今年第一季已完成136臺EUV曝光機出貨，累計采用EUV曝光的晶圓已超過7,000萬片。

現階段最新曝光機NXE：3600D的系統妥善率（availability）已優于前一代機型約達93％，并接近技術成熟的深紫外光（EUV）機型的95％。

在每平方公分30毫焦耳（mJ）的光源輻照能量情況下，NXE: 3600D每小時晶圓產出已達160片，較上一代機型提升18％。預計明年下半年推出的NXE: 3800E預計每小時晶圓產出可提升到195片以上，并有機會升級到接近220片，ASML亦說明將于2025年推出NXE：4000F新機型且每小時晶圓產出會大于220片，目標是再提升至240片。

雖然半導體市場進入庫存去化階段，但先進制程需求續強，臺積電及三星將會在明年擴大3奈米EUV產能，英特爾今年底亦量產首款采用EUV技術的4奈米Intel 4制程。