聯發科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現身市場的動作，臺面上或是為公司將積極進軍全球5G芯片市場作熱身，但臺面下，已決定采用臺積電7納米EUV制程技術設計量產的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯發科為卡位臺積電最新主力7納米制程技術產能，同時向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺積電7納米制程技術猶疑之間，聯發科已先一步表達忠誠，而面對高通、蘋果專利訟訴
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臺積電，EUV
據《日經亞洲評論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱，中國芯片加工企業中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進的EUV(極紫外線)光刻機，價值1.2億美元。目前，業內已達成共識，必須使用EUV光刻機才能使半導體芯片進入7nm，甚至5nm時代。今天，中芯國際方面對觀察者網表示，對此事不做評論?！ ∠⒎Q，這臺幾乎相當于中芯國際去年全部凈利潤的設備，將于2019年前交付。 ASML發言人對《日經亞洲評論》表示，該企業對包括中國客戶在內
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中芯 EUV
據知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經訂購了一臺EUV設備，在中美兩國貿易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場領先者的技術差距，確保關鍵設備的供應。EUV是當前半導體產業中最先進也最昂貴的芯片制造設備。
中芯國際的首臺EUV設備購自荷蘭半導體設備制造商ASML，價值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場領導者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導體制造技術的雄心壯志，也保證了在最先進的光刻設備方面的供應。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買該設備，以確保
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中芯 EUV
種種跡象表明，2018年將是移動處理器、半導體等行業迎來轉折的一年，多種技術經歷多年沉淀后會在今年完成應用，然后在2019年爆發。
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臺積電 芯片 EUV
載具對于曝光機發揮保護、運送和存儲光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機載具，并為全球最大的半導體設備制造商ASML提供載具相關技術。
我們主要研究EUV的配套技術，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進階的突破口。隨著5nm技術的升級，EUV的重要性逐漸凸顯出來，而載具的研究也越發緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術產品已經達到國際先進水平，這是一個值得自豪的成績。未來，7nm工藝逐漸向5nm升級，技術的研究會越來越困難
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ASML EUV
2017年，三星在半導體事業中的投資達到了260億美元，創下歷史新高，這主要得益于其存儲芯片的巨大需求。
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三星 EUV
在前段時間，臺積電創始人張忠謀在即將退休的時候卻意外表示，其實中國臺灣地區的企業本來就不應該死守，假如價錢夠好把臺積電賣掉也無妨。
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臺積電 EUV
韓國三星電子2017財年(截至2017年12月)合并營業利潤創下歷史新高，但其危機感正在加劇。三星1月31日發布的財報顯示，營業利潤同比增長83%，其中僅半導體業務盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬億日元，顯著依賴市場行情，因此危機感增強。3大主要部門面臨著半導體增長放緩等課題。三星能否在新經營團隊的領導下，將智能手機和電視機的自主技術培育成新的收益源? 2018財年將成為試金石。
三星整體的營業利潤為53.65萬億韓元，時隔4年再創歷史新高。其中，半導體部門的服務器和智能手機存儲銷量堅挺，
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三星 EUV
EUV微影技術將在未來幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點。 不過，根據日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發布的分析顯示，實現5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰。
極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術將在未來幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點。 不過，根據日前在美國加州舉辦的年度產業策略研討會(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發布的分析顯示，實現5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰。
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EUV 7nm
晶圓代工之戰，7nm制程預料由臺積電勝出，4nm之戰仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備，又投入研發能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術，目前看來似乎較占上風。
Android Authority報導，制程不斷微縮，傳統微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV， 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產7nm時，就會率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競
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4nm EUV
一時之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導體設備產業發展水平的標桿，沒有EUV就無法實現半導體強國之夢？
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EUV 5nm
近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創新時重點提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰性及對世界的重要影響。
Peter Leibinger
“如果我們無法實現EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業，智能手機產業乃至整個電子裝備產業都將改變運作方式。”
什么是EUV?
極紫外光刻(Ex
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TRUMPF EUV
新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運行時間仍然存在問題。
Momentum正在應用于極紫外(EUV)光刻技術，但這個談及很久的技術可以用于批量生產之前，仍然有一些主要的挑戰要解決。
EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經遇到了一些延遲，將技術從一個節點推向下一個階段。
如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺積電相互競爭，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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EUV
Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟?！ 〗袢盏南M性電子產品、網絡、高效能運算 (HPC) 和汽車應用皆依賴封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時產熱更少且操作時更省電。透過摩爾定律推動前端流程開發，領先的代工和整合組件制造商(IDM
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晶圓 EUV
臺積電(2330)南京廠今日上午正式舉行進機典禮，由董事長張忠謀親自主持，大陸中央及地方貴賓云集，顯示對臺積電南京投資案重視。
海思及聯發科將是首批客戶
張忠謀表示，大陸集成電路在中國制造，臺積電可助一臂之力。 南京廠預計2018年下半年量產，陸媒預估中國海思及聯發科(2454)將是首批客戶。
工程師已陸續由臺灣進駐
今年上半年臺積電工程師已經陸續由臺灣進駐南京廠協助建廠事宜，8月16奈米大型機臺陸續透過華航包機，由臺灣運往南京祿口機場，而南京市政府為了迎接重量級貴賓，加快浦口
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臺積電 EUV
euv介紹
在半導體行業，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
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