- 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增?！ ?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現場，發表主題為「以SOI技術制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進SOI技術的發展，介紹公司最新技術成果的同時也總結了SOI技術的現狀，并暢想了產業的未來?！ ￡P于
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格芯 FD-SOI
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯網芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車雷達、WiGig、衛星通信以及無線回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！ ≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術結合，為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實現最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，
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格芯 FD-SOI
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性?！ ≌缃谠诿绹故镜模裥?2FDX eMRAM具有業界領先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時能使數據在125°C環境下保留10年以上。
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格芯 FD-SOI
- 預計半導體和代工市場將在2016-2020年出現強勁成長，半導體年復合增長率達4.4%，代工業年復合增長率達7.1%，而且中國代工廠的年復合增長率更高，達20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后，向部分國內媒體介紹了格芯對全球半導體市場的看法及其業務擴展計劃。
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半導體市場 FD-SOI 22FDX 12FDX 代工 20170203
- 全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產線，GF占51%，并引入中國半導體業非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。
“格芯”之所以引起業界關注有兩點：
1)與廈門的”聯芯”一樣是合資企業，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式;
2)導入SOI技術，目前計劃是2018年開始成熟制程量產，以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。
為什么SOI技術對于中國是個亮點?
在摩爾
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SOI 格芯
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
- 在今年，業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
終于，現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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智能手表 FD-SOI
- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產業聯盟稱，RF-SOI生態系統現已建立完善，并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術，占據了95%的市場份額，該系統有利于IoT連接和5G的發展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，具有性能高、成本低等優勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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RF-SOI 5G
- 格羅方德9月8日發布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德 FD-SOI
- 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，
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格羅方德 FD-SOI
- 格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態系統旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統設計，并縮短產品上市時間。
隨著公司新一代12FDX™的發布，格羅方德現提供業內首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現先進節點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。
通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創新的22FDX 片上系統解決方
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格羅方德 FD-SOI
- Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項??。
Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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FD-SOI 存儲器
- 產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…
半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
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FD-SOI 14nm
- Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
晶圓代工業者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
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