- CL002是完成一位數字顯示的BCD碼顯示器,它以小型固體塊的形式完成寄存-譯碼驅動-LED數碼顯示等功能.CL002除了無計數部分外,其余部分和CL102完全相同,它的邏輯框圖及管腳排列如圖所示.外形尺寸與CL102相同.
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線路 應用 顯示器 BCD CL002
- C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅動器功耗低微,在25度條件下僅幾十微安,工作電壓范圍為4~18V,采用交流驅動,可直接驅動液晶顯示屏.C306的管腳外引線排列和功用如圖所示,C306的功能真值表如9.42表所示.顯示.
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應用 電路圖 驅動器 液晶顯示 BCD- 段譯碼 C3065
- C301是BCD(4線)-10進制(10線)譯碼器,也是二進制到八進制譯碼器其邏輯功能與引線排列與美國RCA公司的CD4028相同,可方便也互換.C301的管腳外引線排列和功用如圖所示,C301的功能真值表如9.41所示.C301是BCD-十進制或二進
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電路圖 應用 進制 BCD-10 C301
- 臺積電今日宣布,推出通過美國汽車電子協會(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產品規格驗證標準的0.25微米車用一次性可編程存儲器(One-time-programmable) 硅知識產權。
此一硅知識產權與TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標準CMOS邏輯工藝完全相容,因此無需額外增加其他工藝步驟,提供車用電源管理及模擬產品系統單芯片制造一個理想的選擇。
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臺積電 BCD 存儲器
- 華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)主辦、北京集成電路設計園協辦的“2010 CSMC 工藝培訓(北京)”在北京舉行,有百余位主要來自北京的IC設計公司、大學、研究所的IC 設計人員和業務主管繞有興趣地參加了培訓和討論。此次培訓是繼去年華潤上華在京舉辦“共贏中國半導體應用市場研討會”后,應聽眾的反響和要求而開辦的。
根據聽眾欲更多了解華潤上華的工藝及特點,為其產品尋找低成本、高效率的工藝解決方案的需求,華潤上華精心準備了針對
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華潤上華 IC設計 BCD
- 近年來,節能環保理念的深入人心,對半導體IC設計和應用也提出了更高的要求。2008年11月,五大手機制造商諾基亞、三星、索尼愛立信、摩托羅拉和LG電子聯合發布了手機充電器的五星級標準。新的分級制度將以零到五顆星的標志圖案來區分待機能耗。例如,待機功耗小于或等于30mW的手機充電器屬于最高星級,在其標簽上印有五顆星。相反,如果待機功耗≤500mW,則充電器標簽上將無任何星級標記。為適應手機充電器的技術革新和發展,新進半導體制造有限公司(簡稱BCD半導體)于近期推出一種新的電源控制芯片AP3768,
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BCD 手機充電器 AP3768
- 隨著像手機,PDA、DSC、GPS等數碼及便攜式產品的迅猛發展,以及液晶顯示器的制造技術的日臻完善。彩色的LCD顯示屏越來越成為數碼及便攜式產品的重要部件。彩屏的手機,PDA等也越來越受人們的喜歡和青睞。彩色LCD顯示
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驅動器 解決方案 LED 白光 利用 BCD 基于
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解決方案 驅動器 LED 白光 BCD
- 領先業界的高整合創新電源管理半導體解決方案提供業者-德商Dialog半導體公司與TSMC 23日共同宣布,雙方正密切合作,為移動產品的高效能電源管理芯片量身打造BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工藝技術。
此0.25微米高壓工藝技術世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯片中,因而增加成本效益,同時擴大Dialog公司解決方案的潛在市場。
Dialog公司下一世代電源管理芯片的重要特點之一,就是將更高電壓與更有效的元件予以整合,因此得以開發出更小尺寸、更節能的芯片;這些芯
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臺積電 電源管理 BCD
- TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝,將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動集成電路產品。
此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍,可支持多種LED的應用,包括: LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等,且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代,并有數個數字核心模組可供選擇,適合不同的數字控制電路閘密度。此外,也提供CyberShuttleTM共乘試制服務,支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
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TSMC BCD LED驅動
- 針對DC-DC電源管理系統中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進的欠壓鎖存電路。所設計的電路在不使用額外的帶隙基準電壓源作為比較基準的情況下,實現了閾值點電位、比較器的滯回區間等參量的穩定。整個電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設計,使用HSpice軟件仿真,結果表明所設計的UVLO電路具有結構簡單、反應靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點。
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電路設計 工藝 BCD 基于
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator,SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明,相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造,該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器,能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時,SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術。
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ARM 45納米 SOI
- 據ARM的研究人員的報道,公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比,功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發表。
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ARM 45nm SOI 測試芯片
- 在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上,GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經達到兩位數水平,預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。
據稱目前Intel 32nm Bulk制程技術的良率應已達到70-80%左右的水平,而且已經進入正式量產階段,在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃,32nm SOI制程將在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
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