產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…

　　半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。

　　在 理想環境下，每單位面積良率(yield per unit area)會與特征尺寸的縮減一致，因而帶來閘成本的下降;不過現實情況并非如此，因為越來越多的疊對(overlay)等等因素會影響良率。當制程特征 尺寸縮小，也會帶來性能提升以及整體功耗的降低，但代價是更高的閘成本。

　　制程節點轉移至5奈米，需要采用深紫外光(EUV)微影技 術;EU雖然可以減少多重圖形(multiple patterning)步驟以及疊對問題導致的良率損失，晶圓處理成本將會提升，因此導致閘成本跟著提高。半導體產業可以采用現有的技術藍圖嘗試提高系統 與參數良率，或者是評估其他的技術選項。

　　180奈米(0.18微米)晶圓代工市場的需求量仍然很高，而28奈米的12寸晶圓產量在接下來10~15年將超過150K WPM;因此，新一代的制程技術選項可以擁有約20~30年的生命周期。

　　除了FinFET之外的技術選項是FD-SOI，對該技術功能的分析顯示，其性能與功耗等同于甚至超越FinFET;雖然FinFET結構能為數位設計提供優勢，但在高頻以及類比混合訊號設計方面，FinFET架構卻有成本與技術上的劣勢。

　　相 較于其他制程技術選項，物聯網(IoT)與Wi-Fi組合晶片等應用，能以FD-SOI達到最佳實現。下表是以16/14奈米FinFET與14奈米 FD-SOI晶圓制造成本的比較;分析顯示，14奈米FD-SOI晶圓成本比16/14奈米FinFET低了7.3%，最重要的原因是前者光罩步驟數較 少，因此也縮短了晶圓廠生產FD-SOI晶圓的周期。

　　雖 然晶圓成本很重要，對使用者來說還有一個更重要的因素是閘成本;這些成本的比較如下表所示。閘成本是基于晶圓成本、晶片尺寸、產品良率的組合，假設 FinFET與FD-SOI兩種制程技術生產的晶片尺寸相當，14奈米FD-SOI的閘成本比16/14奈米FinFET低了16.6%，而晶圓廠指標 (wafer fab metrics)也相當。這顯示了FD-SOI頗具競爭力的優勢。

　　此外FinFET制程與FD-SOI制程產品的性能也差不多，FD-SOI的功耗則因為使用反偏壓(back biasing)與閾值電壓(threshold voltage)而低于FinFET;反偏壓是在FD-SOI環境中達成性能與功耗權衡的關鍵因素。

　　FD-SOI可望微縮至7奈米節點

　　ARM 發表過一篇分析報告，指出Globalfoundries的22奈米FD-SOI技術，能讓很多設計在性能與功耗方面與14LPP制程媲美;而期望14奈 米FD-SOI能擁有更低的成本，并有效因應許多正嘗試以10奈米或7奈米FinFET制程實現之設計的性能與功耗問題。

　　此外，法國研究機構CEA-Leti已經分析過了將FD-SOI制程微縮至7奈米的潛力，其結果如下圖所示;能微縮至7奈米，意味著FD-SOI可以擁有超過30年的生命周期，特別是針對物聯網以及其他低功耗混合訊號設計。

　　Globalfoundries 已經建立了22奈米FD-SOI晶圓產能，并證實在數位、混合訊號與RF功能性方面表現優異;三星電子(Samsung Electronics)建立了28奈米FD-SOI產能，采用該制程實作的設計數量正快速增加;意法半導體(STMicroelectronics)也 有28奈米FD-SOI產能，而且是第一家能顯示該制程超越28奈米高介電金屬閘極(HKMG)塊狀CMOS制程的競爭力。

　　對于14奈米FinFET技術的采用者來說，轉移至14奈米FD-SOI制程可取得明顯的好處;制程轉移成本應該不高，因為后段制程(BEOL)可以是相同的。雖然新的程式庫與IP還需要開發以及認證，14奈米FD-SOI制程的生命周期應該有20~30年。

　　FD- SOI是FinFET與三閘極電晶體架構(Tri-Gate)的互補技術;對半導體產業來說很重要的是，最佳技術應該是針對關鍵應用，而非讓晶圓供應商聚 焦于最大化FinFET結構的財務優勢。在法國南部以非常少量專業技術崛起的FD-SOI，現在已是具備全球市場能見度的高利潤技術，半導體業者應該考慮 快速轉移至該制程以體驗其優勢。