- 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經成功實現量產，良率超過98%，達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用，具有業(yè)內領先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺量產，各項指標均達到或超過客戶要求。
在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，LED綠色照明已經進入快速發(fā)展期。據相關機構統(tǒng)計，
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華虹半導體 BCD
- 香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經成功實現量產，良率超過98%，達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用，具有業(yè)內領先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺量產，各項指標均達到或超過客戶
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華虹 BCD
- Peregrine半導體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術的奠基者和先進射頻解決方案的先驅，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數字步進衰減器以及一個數字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調諧靈活性極強，對于兩路動態(tài)負載調制放大器結構，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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Peregrine SOI MPAC
- 全球領先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證，并正式投入供客戶設計開發(fā)使用。工藝設計工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶快速完成高質量射頻器件的設計與流片。
華虹半導體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關應用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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華虹半導體 SOI
- 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關者創(chuàng)造價值。
意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導體核心戰(zhàn)略的
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意法半導體 FD-SOI 可持續(xù)發(fā)展
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IBM RF芯片 代工升級 制程技術 SiGe SOI
- Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的創(chuàng)始人、先進的射頻解決方案之先驅，今天，在電子設計創(chuàng)新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個可重構射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設計──?
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Peregrine 射頻 SOI
- 本文采用CMOS數字集成電路實現了一種數字鐘電路，該電路設計包括了時序邏輯電路、組合邏輯電路、數碼管顯示電路和脈沖信號產生電路等內容，內容涉及面寬、綜合性強，是電子技術自主性實驗教學的典型案例
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數字鐘 CMOS CD4518 BCD-7
- 針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構，將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
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紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關，其插入損耗堪稱智能手機市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產品即日起交付樣品。
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東芝 射頻天線 SOI
- 電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執(zhí)行副總裁兼數字融合事業(yè)部總經理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術演進。
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ST 機頂盒 多媒體處理器 FD-SOI
- 開發(fā)實時時鐘(RTC)軟件時，需要首先理解時鐘核心邏輯的定義。我們通常對時鐘和日歷的工作原理有一個基本的認識，本文則深入分析了芯片在裝載了不正確或不合法的內容時可能產生的后果。
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Maxim RTC 寄存器 BCD
- 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
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助力 平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:
- 近期，BCD半導體制造有限公司（BCDSemi）針對LED驅動電源的特殊要求，推出了一系列高性價比、覆蓋中小功率應用...
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BCD LED 驅動電源
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。
根據SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
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