1. 什么是射頻？射頻簡稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了，依據麥克斯韋的電磁場理論：振蕩的電場產生振蕩的磁場，振蕩的磁場產生振蕩的電場，電磁場在空間內不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現體現這個過程，E代表電場，B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統稱，被廣泛應用于雷達和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
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射頻 RF
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲
晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。該技術能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現優異的圖像質量。通過BSI NIR+技術，安防監控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯網 AI 相機等領域。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優勢1. SOI JX-K30
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晶像光電 SOI JX-K302P 物聯網感測器
關于射頻模擬設計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數度量，包括本規范的關鍵方面。除了一些特定的應用，例如，當需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現象。科學家和工程師已經表征了不同電路元件產生的噪聲，并開發了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中，我們通常將噪聲效應建模為輸入參考噪聲電壓和電流源。然而，在射頻（RF）設計中，噪聲系數度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數度量，強調該規范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
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噪聲系數度量，射頻電路，噪聲，RF
本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號。基本的放大器電路由雙極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區運行。晶體管的有源區用于放大目的。當晶體管偏置為有源區時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產生經過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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RF 放大器
在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長足的發展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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ADI RF ADC
近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛星通信應用開發新的GaN器件產品線并實現商業化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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Guerrilla RF Gallium GaN
晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。可搭配不同平臺SOC，適用于安防監控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯網 AI 相機等領域。?場景應用圖SOI-SOI?產品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術，可為在低光或無光環境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗
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晶像光電 SOI JX-F355P 物聯網感測器
6月14日，純化合物半導體代工廠穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF
GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發布完整的生產版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN
HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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純化合物 半導體 RF GaN
意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產品。
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意法半導體 MCU FD-SOI STM32
在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。基本概念和術語假設以任意負載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
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ADI RF 波反射
羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動通信大會上，羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進行NTN NB-IoT測試的實時演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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羅德與施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
就在幾個月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關部門發布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關注該領域的讀者突然意識到，不知道從什么時候開始，我國的鎵和鍺已經悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質科學院礦產資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產量則是壓倒性的占到了全球產量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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雷達 RF 氮化鎵 相控陣
『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結合產業現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。在過去十年中，移動無線數據快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術，以滿足用戶對無線數據容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術的需求，以幫助減少系統干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。本篇內容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應用中使用的各種技術版本。首先介紹關于濾波器的一些基本實情，以及它們帶
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Qorvo RF 濾波器
IT之家 12 月 19 日消息，射頻芯片制造商美國威訊聯合半導體有限公司（Qorvo）宣布，與立訊精密建立戰略合作伙伴關系并達成最終協議，向后者出售位于北京和山東德州的組裝和測試工廠，預計明年上半年完成交易。據IT之家了解，交易完成后，立訊精密將接管上述工廠的運營和資產，包括物業、廠房、設備與現有員工。威訊聯合半導體將保留在中國的銷售、工程和客戶支持員工，繼續為客戶提供服務。立訊精密將根據新簽訂的長期供應協議為威訊聯合半導體組裝和測試產品。威訊聯合半導體首席財務官格蘭特?布朗（Grant Br
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Qorvo RF
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