- 全球 Chiplet 市場正在經歷顯著增長，預計到 2035 年將達到 4110 億美元。
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Chiplet
- 隨著越來越多的 SoC 在前沿技術上分解，行業學習范圍不斷擴大，為更多第三方芯片打開了大門。
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- 隨著前沿技術中越來越多的 SoC 被拆解，產業學習不斷深入，這為更多第三方 Chiplet 打開了大門。
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Chiplet
- 臺積電OIP（開放創新平臺）于美西當地時間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態系統創新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現優化的設計。臺積電OIP生態系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創新。 Dan Kochpa
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臺積電 OIP 3D IC設計
- 隨著人工智能、云計算等技術的快速發展，全球存儲市場競爭日益激烈，存儲芯片市場正迎來前所未有的變革。據悉，三星電子、SK海力士等存儲巨頭紛紛加大在新技術領域的投入，以應對市場的快速變化和競爭壓力，搶占市場份額和商業機會。在這些新技術中，CXL和定制芯片、chiplet技術尤為引人關注，成為了各大存儲大廠競相角逐的新戰場。綜合韓媒報道，SK海力士副總裁文起一在學術會議上稱，Chiplet芯粒/小芯片技術將在2~3年后應用于DRAM和NAND產品。值得注意的是，SK海力士正在內部開發Chiplet技術，不僅加入
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存儲 Chiplet
- ●? ?借助由仿真驅動的虛擬合規性測試解決方案，采用更智能、更精簡的工作流程，提高?PCIe?設計的工作效率●? ?具有設計探索和報告生成能力，可加快小芯片的信號完整性分析以及?UCIe?合規性驗證，從而幫助設計師提高工作效率，縮短新產品上市時間System Designer for PCIe?是一種智能的設計環境，用于對最新PCIe Gen5?和?Gen6?系統進行建模和仿真是德科技（
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是德科技 System Designer Chiplet PHY Designer 仿真
- 當地時間周二，美國商務部發表官方聲明，宣布將撥款高達16億美元用于加速國內半導體先進封裝的研發。此舉是美國政府2023年公布的國家先進封裝制造計劃NAPMP的一部分。聲明中稱，該筆資金來源于2022年《芯片與科學法案》520億美元授權資金的一部分，重點支持企業在芯片封裝新技術領域進行創新。美國政府計劃通過獎勵金的形式向先進封裝領域的創新項目提供每份不超過1.5億美元的激勵。且項目需與以下五個研發領域中的一個或多個相關：1、設備、工具、工藝、流程集成；2、電力輸送和熱管理；3、連接器技術，包括光子學和射頻；
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先進封裝 chiplet EDA
- 7月10日消息，近日，壁仞科技副總裁兼AI軟件首席架構師丁云帆在談及計算瓶頸時表示，解決算力瓶頸問題需要從三個維度考慮：硬件集群算力、軟件有效算力、異構聚合算力。他認為，做好這三個維度的工作，即使國產AI芯片單個算力不強，也能通過綜合手段提升算力，滿足國內大模型訓練的需求。“我們2020年設計的第一代產品里就做了chiplet架構，國外巨頭在今年發布的產品如英偉達B100和英特爾Gaudi 3也采用了同樣的思路，他們用最先進的制程，但也需要chiplet來突破摩爾定律限制來提升單卡算力。”丁云帆說道。據他
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壁仞科技 AI芯片 chiplet
- 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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鎧俠 3D NAND堆疊
- 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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SK海力士 3D DRAM
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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