2023年11月10-11日，中國半導體最具影響力的行業盛會之一，中國集成電路設計業年會（以下簡稱"ICCAD"）在廣州保利世貿博覽館盛大開幕。奎芯科技，作為專業的集成電路IP和Chiplet的產品供應商，也在本次展會中亮相，展臺主題為"以Chiplet搭建'芯'未來"。直擊奎芯科技ICCAD 2023展位現場在本次展會前夕的中國半導體行業協會集成電路設計分會理事會議中，奎芯科技實現了從會員單位升級為理事單位的跨越。這一榮譽不僅是對奎芯科技在半導體設
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奎芯科技 ICCAD2023 Chiplet
隨著3D-IC與異質整合的技術逐步成熟，半導體芯片的設計也進入了新的轉折，不僅難度大幅提高，同時成本也水漲船高，這對當前的IC設計業者產生了不小的壓力。對此，半導體產業鏈將需要一個新的營運模式，來應對眼前這個新時代的芯片設計挑戰。對此，CTIMES【東西講座】特別舉行「虛擬IDM：群策群力造芯片」的講題，并邀請工研院電子與光電系統研究所副所長駱韋仲博士親臨，剖析何謂虛擬IDM，而工研院又將如何與中國臺灣的半導體產業合作，一同建立虛擬IDM的模式。對于虛擬IDM這個名詞，駱韋仲解釋，之所以會虛擬IDM的發想
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Chiplet 虛擬IDM
高性能計算和人工智能正在形成推動半導體行業飛速發展的雙翼。面對摩爾定律趨近極限的挑戰，3DIC Chiplet先進封裝異構集成系統越來越成為產業界矚目的焦點。這種創新的系統不僅在Chiplet的設計、封裝、制造、應用等方面帶來了許多突破，同時也催生了全新的Chiplet EDA平臺，共同為創造下一代數字智能系統賦能。芯和半導體，作為國內首家推出“3DIC Chiplet先進封裝設計分析全流程”EDA平臺的EDA公司，在10月25日上海舉辦了2023芯和半導體用戶大會，總規模超過600人。大會以“極速智能，
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芯和半導體 3DIC Chiplet Chiplet
2023芯和半導體用戶大會以“極速智能，創見未來”為主題，以“系統設計分析”為主線，以“芯和Chiplet
EDA設計分析全流程EDA平臺”為旗艦，包含主旨演講和技術分論壇兩部分，主題涵蓋芯片半導體與高科技系統領域的眾多前沿技術、成功應用與生態合作方面的最新成果。
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●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議。●? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業自動化。2020年全球疫情爆發，隔離政策改變人們的消費模式與型態，導致電商與物流倉儲業出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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半導體周要聞2023.9.28-2023.10.61. 英特爾決戰2nm，4年追趕5代制程，與臺積電維持競合關系明年底，英特爾將推進至18Ａ制程，挑戰臺積電2nm制程，并將用于2025年推出的服務器處理器產品上。英特爾認為，屆時將用比超微更佳的制程奪回市場。臺積電則預計于2025年量產2nm制程芯片。基辛格宣告英特爾下一代制程20Ａ將在明年上半年推出。A代表埃米，一埃米是10分之1nm，20Ａ代表的即是2nm制程。由于電晶體的體積極小，因此，英特爾將改采用GAA（閘極全環電晶體）技術設計的新型電晶體「Ri
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臺積電 chiplet 英特爾
英特爾 CEO 帕特·基辛格：英特爾正在開創人工智能電腦的新時代。
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英特爾 Chiplet
IT之家 9 月 20 日消息，英特爾 CEO 帕特?基辛格 (Pat Gelsinger) 在 Innovation 2023 活動上展示了全球首款基于 UCIe 連接 Chiplet（芯粒）的處理器。這顆代號為“Pike Creek”的測試芯片薈聚了兩大代工廠最尖端工藝，包括基于 Intel 3 工藝的 Intel UCIe IP 小芯片，以及 TSMC N3E 的 Synopsys（新思科技）UCIe IP 小芯片，兩個小芯片之間則通過英特爾 EMIB 接口進行通信。UCIe（U
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近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
Chiplet 使英特爾 PSG 能夠為其 FPGA 添加許多新功能
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高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA IP（eFPGA?IP）領域內的先鋒企業Achronix半導體公司日前宣布：為幫助用戶利用先進的Speedcore eFPGA IP來構建先進的chiplet解決方案，公司開通專用網頁介紹相關技術，以幫助用戶快速構建新一代高靈活性、高性價比的chiplet產品， chiplet設計和開發人員可以透過該公司網站獲得有關Speedcore eFPGA IP的全面支持。中國客戶亦可以通過Achronix在中國的服務團隊得到同樣的支持。Speedcore??
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動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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