據《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業務規劃團隊董事總經理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術生產的DRAM內存顆粒。

除了CMM-D模塊，三星還在開發一系列CXL存儲產品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內存盒模塊，以及將DRAM內存與NAND閃存顆粒相結合的CMM-H混合存儲模塊。

Choi Jang-seok強調，隨著CXL3.1技術的采用，CXL內存資源可以在多個主機之間共享，預計CXL市場將在今年下半年蓬勃發展，在2028年左右實現顯著增長。

崔章錫還透露，三星正在內部研究一款名為CMM-DC的新產品。這款產品將以CMM-D模塊為基礎，提供計算能力。

此外，三星即將推出的CMM-D2.0內存模塊遵循CXL2.0協議，該協議是增強數據中心互連性和效率的標準。這些模塊采用1ynm工藝DRAM顆粒，代表20-10nm級別的第二代DRAM技術。該技術能夠生產提供更高容量同時保持性能效率的內存模塊。

報道指出，CMM-DC產品的內部研究表明了未來的發展方向，三星的目標是將計算能力與CXL內存模塊相結合。內存和計算功能的融合可以為更高效、更強大的數據處理架構鋪平道路。

據業界信息，CXL全稱ComputeExpressLink，是一個全新的得到業界認同的互聯技術標準，其可以有效解決內存墻和IO墻的瓶頸。PCI-e技術是CXL技術的底層基礎，CXL則可視為PCI-e技術的再提高版本，并且，CXL延伸了更多變革性的功能。

目前，CXL已經發表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五個不同的版本，CXL2.0內存的池化（Pooling）功能較好的實現了以內存為中心的構想；CXL3.0則實現Memorysharing（內存共享）和內存訪問，在硬件上實現了多機共同訪問同樣內存地址的能力；CXL3.1，則具備開啟更多對等通信通道的能力，實現了對內存和存儲的獨立分離，形成獨立的模塊，并且新規范將支持目前仍在研發中的DDR6內存。

2021年5月，三星開發出全球首款基于CXL的DRAM技術；2022年推出業界首款高容量512GB CXL DRAM；2023年5月開發出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM；2024年第二季度推出支持CXL 2.0的256GB CMM-D產品，并正在與主要客戶進行驗證。

目前，除了三星，其他兩位大廠也在布局該技術。美光在2023年8月推出了其 CXL 2.0 內存模塊；SK海力士在2023年10月展示了其CXL產品，包括基于CXL的計算內存解決方案 (CMS) 2.0，使用近內存處理 (NMP) 架構來解決 CPU 內存瓶頸問題并提高處理性能。