1 AI崛起、終端復蘇及供求變化驅動儲存市場復蘇

隨著AI的大規模普及，半導體行業市場迎來了新的浪潮，受到大模型時代的高算力、大存儲的現實需求推動，下游市場復蘇疊加AI浪潮驅動，將GPU及存儲需求迅速提升。

對于NAND行業而言，NAND閃存類存儲本身處在AI生態鏈中，任何數據如果沒有SSD便無法運轉起來，因此大模型興起客觀上就會引發對NAND需求。

根據功能性及使用的主要存儲芯片類型不同，半導體存儲器分為易失性存儲芯片（簡稱RAM）和非易失性存儲芯片（簡稱ROM）。

RAM可分為靜態隨機存儲器（簡稱SRAM）和動態隨機存儲器（簡稱DRAM）兩類，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲。

ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器（簡稱Flash）。快閃存儲器的主流產品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲，NOR 是利基存儲。

目前存儲芯片市場主要以DRAM 和NAND Flash 為主。其中，DRAM 市場規模最大，占比約為55.9%。NAND Flash 占比約為44.0%。

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而存儲產業鏈也分為上游、中游及下游。

上游是原材料和半導體設備，原材料主要以硅片、光刻膠、電子特種氣等為主；半導體設備主要以光刻機、刻蝕設備、檢測與測試設備等為主。

中游包括制造、封測和集成模組三大環節，其中，存儲晶圓顆粒是存儲器的核心，存儲產品中的所有數據和信息均存儲在晶圓顆粒中；封裝測試是將存儲晶圓顆粒和主控芯片封裝在一起，并對整個存儲器進行測試和調試；模組廠將存儲器和其他電子組件組合在一起，形成最終產品。

下游的應用則包括消費電子、信息通信、汽車電子、物聯網、高新科技等。

從應用市場看，手機、PC、服務器依然是存儲的三大主力應用市場，但與以往不同的是，在AI 技術要求下，其對三大主力應用市場提出了新的存儲要求，從而推動存儲市場穩步發展。并且存儲行業的市場集中度較高，幾家大型半導體公司占據了大部分市場份額。在存儲行業產品的市場占有率方面，DRAM 以超過50% 的份額穩居第一，NAND占比約為35%，NOR維持著約2%的市場份額。

存儲行業市場規模超千億，是半導體產業的第二大細分市場。2020 年至2022 年，全球存儲市場規模分別為1175 億美元、1534 億美元、1392 億美元，占半導體規模的比例分別為24%、28%、27%。存儲的周期性與全球半導體整體周期性走勢一致，但波動性遠大于其他細分品類。

去年第一季度開始，三星、SK 海力士、美光、西部數據和鎧俠等廠商紛紛宣布減少產能，廠商降低關于存儲業務的資本性支出。各大廠商不約而同的減產計劃促使存儲周期提前，在存儲需求不斷擴大的前提下，存儲芯片的價格將會上升，提前進人復蘇周期。供給端減產持續，目前根據測算，自2023 年起，海外廠商的產能利用率和資本支出已顯著減少，存儲芯片價值穩步提升。

由于存儲行業進入新一輪上行周期，存儲產業鏈在2024 年第一季度的業績大幅增加，其實在2023 年的三、第四季度，存儲行業已經開始觸底反彈，據相關行業數據顯示，存儲價格上漲趨勢明確，行業進入新一輪上行周期，上游存儲晶圓價格自2023 年第三季度開始觸底反彈，至2024 年3 月已上漲30%。根據權威機構預測，2024 年第二季度，存儲行業有望延續上行趨勢。第二季度NAND Flash（閃存存儲器）合約價將強勢上漲約13%至18%，DRAM（動態隨機存取存儲器）價格漲幅約3% 至8%。

不少的廠商及企業存儲的產品銷量實現同比大幅增長，同時受益存儲產品市場價格持續回升，公司盈利狀況顯著提升，都相繼轉虧為盈，各大預測機構也都對今年的存儲市場持續看好。

美光2024 財年第二財季（截至2024 年2 月三個財務月份）報告顯示，GAAP 凈利潤為7.93 億美元，上一個財季則為虧損12.34 億美元，2023 財年同期則為虧損23.12 億美元。明顯實現大幅扭虧。

表1 美光2024財年第二財季主要數據

同樣，存儲巨頭SK 海力士也已在2023 年四季度實現扭虧至約盈利2.6 億美元。可見在上游廠商持續減產效應推動下，伴隨存儲產品開始漲價趨勢后，產業鏈公司也逐漸開始回歸正常盈利狀況。

江波龍業績預告指出，2023 年第四季度公司預計營收在35 億-40 億元，同比上升超過100%，環比上升超過20%；當季度實現扭虧為盈。

內存接口芯片龍頭瀾起科技預計2024 年一季度實現營業收入7.37 億元，較上年同期增長75.74%；凈利潤為2.10 億元至2.40 億元，較上年同期增長9.65 倍至11.17 倍。

自2023 年第四季度以來，存儲行業環境改善明顯，下游市場需求復蘇，佰維存儲的產品銷量實現同比大幅增長，同時受益存儲產品市場價格持續回升，公司盈利狀況顯著提升。

從已披露企業的業績情況看，多家企業一季度利潤超市場預期，行業景氣、板塊復蘇態勢強勁。隨著2023 年年報、2024 年一季報逐漸披露，預計業績表現較好個股有望取得較好的相對收益。

半導體行業組織（SEMI）相關報告顯示，由于內存市場復蘇以及對高效能運算和汽車應用的強勁需求，全球用于前端設施的300mm 晶圓廠設備支出預估在2025 年首次突破1000 億美元，到2027 年將達到1370億美元的歷史新高。全球300mm 晶圓廠設備投資預計將在2025 年增長20% 至1165 億美元，2026 年將增長12% 至1305 億美元，將在2027 年創下歷史新高。

伴隨存儲產業逐漸復蘇的同時，供需關系也在變化。有機構近日指出，目前在NAND Flash 行業，今年三月起僅鎧俠和西部數據率先將產能利用率恢復至近九成，其余業者均未明顯增加投產規模。DRAM領域供應商此前已有所提高產能利用率，不過由于今年整體需求展望不佳，外加此前已大幅漲價，預計庫存回補動能將逐漸走弱。

行業間已經有觀點指出，有警惕因為存儲過分漲價，可能會抑制下游需求釋放的情形出現。

2 儲存行業國產替代空間大

受消費電子市場需求疲軟等因素影響，自2021 年以來，存儲芯片產業進入長達近兩年的下行周期。中商產業研究院發布的《2024-2029 年中國存儲芯片行業市場發展監測及投資戰略咨詢報告》顯示，2022 年，我國存儲芯片市場規模約5170 億元，同比下降5.9%，2023年市場規模約為5400 億元。當前新一輪人工智能浪潮爆發，由AI 服務器帶來存儲芯片新的增量需求，有分析師預測，2024 年市場規模將恢復增長至5513 億元。

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盡管目前全球HBM 供應商主要來自韓國（SK 海力士、三星）和美國（美光），但由AI 需求所帶動的存儲產業鏈需求巨大，中國存儲廠商抓住機遇，依然有較大發展空間。

我國企業中長江存儲、長鑫存儲分別在NANDFlash、DRAM市場中不斷發力，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距; 在NOR Flash 全球市場中，我國企業兆易創新占據前三，扮演中國半導體存儲產業發展的重要角色。

2023 年，長江存儲在全球存儲芯片市場的份額占比超過10%，成為存儲芯片市場上不容忽視的勢力之一。經過十幾年的技術積累，我國已基本形成完整的存儲產業鏈條，并形成了長三角、珠三角、京津環渤海與中西部四大主要產業聚落，產業集群效應強大，進一步提高了區域生產效率和加深區內生產的分工和協作。同時，我國本土電子產業成長迅速，已成為電子產品生產制造大國，本土芯片設計企業的技術能力和市場能力迅速發展壯大。因此，我國通過切入存儲，成為半導體強國的趨勢無法阻擋。同時，產業政策的支持吸引一大批高端人才回國發展，人才聚集使得國內企業逐步積累了自主知識產權和核心技術，為存儲芯片的國產替代提供了產業基礎，推動自給率提升，為行業帶來新的發展機遇。

（本文來源于《EEPW》2024.5）